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X射線透射顯微成像/能譜(同步輻射)用氮化硅薄膜窗口
產(chǎn)品概述:
X-射線薄膜窗能夠?qū)崿F(xiàn)軟X-射線(如真空紫外線)的**透射率。主要用于同步輻射X射線透射顯微成像時承載樣品。 X-射線越軟(能量越低),穿透能力越差,所需氮化硅薄膜窗越薄。特別在“離軸”狀態(tài)工作(即薄膜與光束成一定角度)時,也需要較薄的薄膜窗口,便于X射線更好地穿透。
氮化硅薄膜窗口是利用現(xiàn)代MEMS技術(shù)制備而成,由于此種氮化硅窗口選用低應(yīng)力氮化硅(0-250MP)薄膜,因此比計量式和ST氮化硅薄膜更堅固耐用。提供的氮化硅薄膜窗口非常適合應(yīng)用于透射成像和透射能譜等廣泛的科學(xué)研究領(lǐng)域,例如,X-射線(上海光源透射成像/能譜線站)、TEM、SEM、IR、UV等。
現(xiàn)在提供X-射線顯微成像/能譜(同步輻射)用氮化硅薄膜窗系列產(chǎn)品,規(guī)格如下:
外框尺寸 (4種標準規(guī)格):
5 mm x 5 mm (窗口尺寸:1.0 mm或和 1.5 mm 方形)
7.5 mm x 7.5 mm (窗口尺寸:2.0 mm或 2.5 mm)
10 mm x 10 mm (窗口尺寸:3.0 mm或 5 mm 方形)
邊框厚度: 200µm、381µm、525µm。
Si3N4薄膜厚度:50、100、150和200nm
我們也可以為用戶定制產(chǎn)品(30-500nm),但要100片起訂。
本產(chǎn)品為一次性產(chǎn)品,不建議用戶重復(fù)使用,本產(chǎn)品不能進行超聲清洗,適合化學(xué)清洗、輝光放電和等離子體清洗。
技術(shù)指標:
透光度:
對于X射線用窗口,500nm厚的氮化硅薄膜有很好的X光穿透效果,對于軟X射線(例如碳邊吸收譜),100-200nm厚的氮化硅薄膜窗口是用戶**。
真空適用性:
真空適用性數(shù)據(jù)如下:
薄膜厚度 窗口面積 壓力差
≥50 nm ≤1.0 x 1.0 mm 1 atm
≥100 nm ≤1.5 x 1.5 mm 1 atm
≥200 nm ≤2.5 x 2.5 mm 1 atm
表面平整度:
氮化硅薄膜窗口產(chǎn)品的表面平整性很穩(wěn)定(粗糙度小于1nm),對于X射線應(yīng)用沒有任何影響。
溫度特性:
氮化硅薄膜窗口產(chǎn)品是耐高溫產(chǎn)品,能夠承受1000度高溫,非常適合在其表面利用CVD方法生長各種納米材料。
化學(xué)特性:
氮化硅薄膜窗口是惰性襯底。
應(yīng)用簡介和優(yōu)點:
1、同步輻射X射線(紫外或極紫外)透射成像或透射能譜應(yīng)用中是不可或缺的樣品承載體。
2、耐高溫、惰性襯底,適應(yīng)各種聚合物、納米材料、半導(dǎo)體材料、光學(xué)晶體材料和功能薄膜材料的制備環(huán)境,利于制備理想的用于X射線表征用的自組裝單層薄膜或薄膜(薄膜直接沉積在窗口上)。
3、生物和濕細胞樣本的理想承載體。特別是在等離子體處理后,窗口具有很好的親水性。
4、耐高溫、惰性襯底,也可以用于化學(xué)反應(yīng)和退火效應(yīng)的原位表征。
5、適合做為膠體、氣凝膠、有機材料和納米顆粒等的表征實驗承載體。
氮化硅薄膜窗口系列
SN-LDE-505-15 氮化硅薄膜窗口,框架:5×5mm,窗口:1.5×1.5mm,膜厚:50nm
SN-LDE-510-15 氮化硅薄膜窗口,框架:5×5mm,窗口:1.5×1.5mm,膜厚:100nm
SN-LDE-515-15 氮化硅薄膜窗口,框架:5×5mm,窗口:1.5×1.5mm,膜厚:150nm
SN-LDE-520-15 氮化硅薄膜窗口,框架:5×5mm,窗口:1.5×1.5mm,膜厚:200nm
SN-LDE-705-25 氮化硅薄膜窗口,框架:7.5×7.5mm,窗口:2.5×2.5mm,膜厚:50nm
SN-LDE-710-25 氮化硅薄膜窗口,框架:7.5×7.5mm,窗口:2.5×2.5mm,膜厚:100nm
SN-LDE-715-25 氮化硅薄膜窗口,框架:7.5×7.5mm,窗口:2.5×2.5mm,膜厚:150nm
SN-LDE-720-25 氮化硅薄膜窗口,框架:7.5×7.5mm,窗口:2.5×2.5mm,膜厚:200nm
SN-LDE-105-30 氮化硅薄膜窗口,框架:10×10mm,窗口:3×3mm,膜厚:50nm
SN-LDE-110-30 氮化硅薄膜窗口,框架:10×10mm,窗口:3×3mm,膜厚:100nm
SN-LDE-115-30 氮化硅薄膜窗口,框架:10×10mm,窗口:3×3mm,膜厚:150nm
SN-LDE-120-30 氮化硅薄膜窗口,框架:10×10mm,窗口:3×3mm,膜厚:200nm
氮化硅薄膜窗口陣列系列
SN-AR-522-15 氮化硅薄膜窗口,框架:5×5mm,窗口:1.5×1.5mm,2×2陣列,膜厚:50nm
SN-AR-733-15 氮化硅薄膜窗口,框架:7.5×7.5mm,窗口:1.5×1.5mm,3×3陣列;膜厚:50nm
SN-AR-1044-15 氮化硅薄膜窗口,框架:5×5mm,窗口:1.5×1.5mm,膜厚:100nm
氧化硅薄膜窗口系列
SO-505-15 氧化硅薄膜窗口,框架:5×5mm,窗口:1.5×1.5mm,膜厚:50nm
SO-510-15 氧化硅薄膜窗口,框架:5×5mm,窗口:1.5×1.5mm,膜厚:100nm
SO-520-15 氧化硅薄膜窗口,框架:5×5mm,窗口:1.5×1.5mm,膜厚:150nm
SO-705-25 氧化硅薄膜窗口,框架:7.5×7.5mm,窗口:1.5×1.5mm,3×3陣列,膜厚:50nm
SO-710-25 氧化硅薄膜窗口,框架:7.5×7.5mm,窗口:1.5×1.5mm,3×3陣列,膜厚:100nm
SO-720-25 氧化硅薄膜窗口,框架:7.5×7.5mm,窗口:1.5×1.5mm,3×3陣列,膜厚:200nm
氮化硅薄膜窗口系列
SN-1010-2-AU10 氮化硅基底框架:10×10mm,窗口:2×2mm,膜厚:100nm,金膜厚度:10nm
SN-1020-2-AU10 氮化硅基底框架:10×10mm,窗口:2×2mm,膜厚:200nm,金膜厚度:10nm
SN-710-2-AU10 氮化硅基底框架:7.5×7.5mm,窗口:2×2mm,膜厚:100nm,金膜厚度:10nm
SN-720-2-AU10 氮化硅基底框架:7.5×7.5mm,窗口:2×2mm,膜厚:200nm,金膜厚度:10nm
特殊定制產(chǎn)品
SN-5H5-15 氮化硅基底框架:5×5mm,硅片厚度:200um,窗口:1.5×1.5mm,膜厚:500nm
SN-5H10-15 氮化硅基底框架:5×5mm,硅片厚度:200um,窗口:1.5×1.5mm,膜厚:1000nm
SN-LDE-4-10 氮化硅片100nm-4英寸整張,10×10mm切片
襯底厚度:200um 溫度范圍:1000℃ 真空適應(yīng):1個大氣壓
厚度可以選擇:200um,381um,525um,需要提前說明。
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