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Elionix離子束刻蝕系統(tǒng)
Elionix離子束刻蝕系統(tǒng)

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日本

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上海納騰儀器有限公司

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產(chǎn)品名稱:離子束刻蝕系統(tǒng)

品牌:Elionix

型號:EIS-200

關(guān)鍵詞標(biāo)簽:離子束蝕刻,干法蝕刻,離子束轟擊,離子束減薄

簡短描述:(<40字):利用ECR技術(shù)產(chǎn)生高能Ar+離子束,Ar+離子束通過電場加速,對樣品進(jìn)行物理的轟擊達(dá)到刻蝕作用。

一、簡介

EIS-200Elionix推出的一款基于電子回旋共振技術(shù)(ECR)的小型離子束蝕刻系統(tǒng),特別適合于科研用離子束刻蝕、減薄,清洗、鍍膜等。

EIS-200原理:

利用ECR技術(shù)產(chǎn)生高能Ar+離子束,Ar+離子束通過電場加速到達(dá)樣品表面,對樣品進(jìn)行物理的轟擊達(dá)到刻蝕作用。

EIS-200具有以下優(yōu)點(diǎn):

?方向性好,各向異性,陡直度高,側(cè)向刻蝕少

?分辨率高

?不受刻蝕材料限制,可對石英等材料進(jìn)行蝕刻

?可控制蝕刻Taper

?可以設(shè)定多樣的實(shí)驗(yàn)條件

二、主要功能

l主要應(yīng)用

納米級圖案刻蝕

高深寬比蝕刻

表面清潔

離子減薄

l技術(shù)能力

離子槍

ECR型離子槍

離子化氣體

Ar、Xe等、惰性離子氣體

N2、O2CF4等、活性離子氣體

加速電壓

100V3000V 連續(xù)可變(高加速電壓可選) (輸出電流20mA MAX)

離子束流密度

Ar:1.5mA/cm2以上 (2kV加速時(shí))

O2:2.0mA/cm2以上 (2kV加速時(shí))

離子束有效直徑

Φ20mmFWHM35mm)

離子束穩(wěn)定度

±3/2H

大樣品尺寸

Φ4英寸

三、應(yīng)用

納米級圖案刻蝕、高深寬比蝕刻、表面清潔、離子減薄等

?SiO2 on Si substrate

?Diamond Substrate(金剛石)

?Quartz (Mask)

?Oriented PET film

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