看了MDPmap晶圓片壽命檢測儀的用戶又看了
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靈敏度:對外延工藝監(jiān)控和不可見缺陷檢測,具有可視化測試的**分辨率
測量速度:6英寸硅晶圓片,1mm分辨率 ,小于5分鐘
壽命測試范圍: 20納秒到幾十毫秒
沾污檢測:源自坩堝和生長設(shè)備的金屬(Fe)污染
測量能力:從初始切割的晶圓片到所有工藝加工的樣品
靈活性:允許外部激光通過觸發(fā)器,與探測模塊耦合
可靠性: 模塊化和緊湊臺式儀器,更高可靠性,正常運行時間> 99%
重現(xiàn)性: > 99.5%
電阻率:無需時常校準的電阻率面掃描
MDPmap是一個緊湊的離線臺式檢測設(shè)備,對生產(chǎn)控制或研發(fā)進行無接觸電學(xué)參數(shù)特性檢測??蓽y量參數(shù)如載流子壽命、光電導(dǎo)性、電阻率、缺陷信息在穩(wěn)態(tài)或注入范圍寬短脈沖勵磁(μ-PCD)。自動化的樣品識別和參數(shù)設(shè)置可以方便地適應(yīng)各種不同的樣品,包括在不同的制備階段,從生長的晶圓片到高達95%的金屬化晶圓片的外延片和晶圓片。
MDPmap主要優(yōu)點是其高度的靈活性,它允許集成*多4個激光器,用于從超低注入到高注入,對依賴于注入水平的少子壽命參數(shù)測量,或者使用不同的激光波長提取深度信息。包括偏置光設(shè)置以及μ-PCD或穩(wěn)態(tài)注入條件選項??梢允褂貌煌膱D譜進行客戶定義的計算,也可以導(dǎo)出原始數(shù)據(jù)進一步評估。對于標準計量任務(wù),可用一個預(yù)定義的標準,使常規(guī)測量只需按一個按鈕。
暫無數(shù)據(jù)!