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BHO200型超高溫氧化爐
BHO200型超高溫氧化爐

參考價格

面議

型號

BHO200型超高溫氧化爐

品牌

拉普拉斯

產(chǎn)地

廣東

樣本

暫無
拉普拉斯新能源科技股份有限公司

會員

|

第2年

|

生產(chǎn)商

工商已核實

留言詢價
核心參數(shù)
  • 非金屬電熱元件:

    其他
  • 金屬電熱元件:

    其他
  • 燒結(jié)氣氛:

    其他
  • 溫控精度:

    -
  • 最高溫度:

    -
  • 額定溫度:

    -
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項   目

高溫氧化爐

功  能

?  用于SiC、GaN等高溫氧化工藝 

?  滿足真空/氣氛高溫氧化工藝

重要參數(shù)

?  **晶圓尺寸:滿足6寸以下晶圓工藝要求 

?  **載片量:50片/批 

?  **加熱溫度:1500℃

裝卸片方式

?  立式垂直升降 

?  立式真空密封系統(tǒng)

拉普拉斯新能源科技股份有限公司LAPLACE Renewable Energy Technology Co., Ltd.)成立于2016年,是一家由多位海內(nèi)外半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域高端人才創(chuàng)立的高科技高端裝備研發(fā)制造企業(yè)。拉普拉斯致力于成為**的泛半導(dǎo)體領(lǐng)域核心工藝解決方案提供商。 

拉普拉斯現(xiàn)有人數(shù)規(guī)模超過1840人,公司擁有一支包含多名外籍專家和多名博士在內(nèi)的核心研發(fā)團隊,研發(fā)人員占比14.89%,技術(shù)人員占比27.28%。公司在深圳坪山區(qū)擁有一座8000平方米的研發(fā)中心和生產(chǎn)廠房,公司在無錫占地137畝,一期**棟廠房13000平方米已建設(shè)完成并投入使用,可滿足單月產(chǎn)能400臺套以上的生產(chǎn)需求,未來2-3年將快速完成二期和三期的工廠建設(shè)規(guī)劃。

SiC/GaN基半導(dǎo)體器件用Bhadra?系列BHO200型超高溫氧化爐

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產(chǎn)品質(zhì)量

10分

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易用性

10分

性價比

10分
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