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適用于碳化硅原料合成也可用于碳化硅晶體生長，采用中頻感應電源加熱方式，上取放料、坩堝軸快慢速移動。
技術參數(shù) | |
生長工藝 | PVT |
生長尺寸 | 6-8英寸 |
產品類型 | 非標定制 |
加熱方式 | 感應加熱（中頻感應加熱） |
**溫度 | 2400℃ |
系統(tǒng)停泵關機12小時后真空度 | ≤5Pa |
控制方式 | PLC集成控制 |
系統(tǒng)極限真空度 | ≤7×10-5 Pa (經烘烤除氣后) |
系統(tǒng)真空檢漏漏率 | ≤5.0×10-7 Pa.l/S |
冷卻方式 | 循環(huán)水路系統(tǒng) |
適用于碳化硅原料合成也可用于碳化硅晶體生長，采用中頻感應電源加熱方式，上取放料、坩堝軸快慢速移動。內壁氬弧焊接，內表面鏡面拋光，反射熱量，減少功率損耗，減少氣體附著。自主研發(fā)控制系統(tǒng)，實現(xiàn)自動化穩(wěn)定、安全、操作便捷。適用于碳化硅原料合成也可用于碳化硅晶體生長，采用中頻感應電源加熱方式，上取放料、坩堝軸快慢速移動。內壁氬弧焊接，內表面鏡面拋光，反射熱量，減少功率損耗，減少氣體附著。自主研發(fā)控制系統(tǒng)，實現(xiàn)自動化穩(wěn)定、安全、操作便捷。
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