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化合物晶體材料設(shè)備主要應(yīng)用于：GaAs砷化鎵、InP磷化銦、等III-V 族化合物晶體材料的生長、合成、脫氧等工藝，可實(shí)現(xiàn) VGF/VB 工藝聯(lián)合生長，晶體生長尺寸：2-6英寸。
單質(zhì)晶體材料設(shè)備主要應(yīng)用于高純鋅、鎘、銻、碲、銦、錫、鍺、鎵等相關(guān)半導(dǎo)體材料的提純、蒸餾、精餾、升華區(qū)熔等工藝。
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