中國(guó)粉體網(wǎng)訊 近期,中科院物理研究所科研人員通過(guò)優(yōu)化生長(zhǎng)工藝,改善晶體結(jié)晶質(zhì)量,成功制備單一4H晶型的8英寸碳化硅(SiC)晶體,并加工出厚度約2mm的8英寸SiC晶片,實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)大尺寸碳化硅單晶襯底的突破。中科院方面表示,[更多]
用微信掃碼二維碼分享至好友和朋友圈