中國粉體網(wǎng)訊 春節(jié)期間,央視新聞報道了中科院物理研究所科研團隊們正在探索用一種新的方法生長碳化硅晶體的新聞。據(jù)了解,與傳統(tǒng)方法不同,該4英寸的碳化硅晶體采用的是最新的液相法生長而成。碳化硅單晶生長方法探索歷程SiC半導體行業(yè)[更多]
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