中國(guó)粉體網(wǎng)訊 近年來(lái),以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件,受到了廣泛的關(guān)注。碳化硅材料具有3倍于硅材料的禁帶寬度,10倍于硅材料的臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度,3倍于硅材料的熱導(dǎo)率。因此碳化硅功率器件適合于高頻、高壓、高溫等應(yīng)用場(chǎng)合,且有[更多]
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