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中國粉體網(wǎng)訊 碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率等性能優(yōu)勢，在高溫、高壓、高頻領域表現(xiàn)優(yōu)異，已成為半導體材料技術領域的主要發(fā)展方向之一。SiC襯底主要包括導電型和半絕緣型兩[更多]