中國粉體網(wǎng)訊 目前,用于SiC晶體生長的主要技術(shù)包括物理氣相輸運(yùn)(PVT)法、高溫化學(xué)氣相沉積( HTCVD)法,以及頂部籽晶溶液生長(TSSG)法。其中,PVT法作為現(xiàn)階段發(fā)展最為成熟、應(yīng)用最廣且商業(yè)化程度最高的SiC單晶[更多]
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