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杭州鎵仁半導體有限公司成立于2022年9月，目前坐落于杭州市蕭山區(qū)機器人小鎮(zhèn)，是一家專注于寬禁帶半導體材料（氧化鎵等第四代半導體）研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。
公司依托浙江大學硅及先進半導體材料全國重點實驗室、浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心和浙江省寬禁帶功率半導體材料與器件重點實驗室，已形成一支以中科院院士為**顧問的研發(fā)和生產(chǎn)團隊。公司開創(chuàng)了氧化鎵單晶生長新技術，擁有國際、國內(nèi)***十余項，突破了美國、德國、日本等西方國家在氧化鎵襯底材料上的壟斷和封鎖。
公司產(chǎn)品包括不同尺寸、晶向和電阻率的氧化鎵拋光片，可定制的氧化鎵籽晶等。產(chǎn)品主要應用于面向國家電網(wǎng)、新能源汽車、軌道交通、5G通信等領域的電力電子器件。經(jīng)過多年的攻關，公司已掌握從設備開發(fā)、熱場設計、晶體生長、晶體加工等全鏈條的核心技術，可提供完全具有自主知識產(chǎn)權的氧化鎵襯底。