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杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司
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產(chǎn)品詳情
氧化鎵專(zhuān)用晶體生長(zhǎng)設(shè)備
氧化鎵專(zhuān)用晶體生長(zhǎng)設(shè)備的圖片
參考報(bào)價(jià):
面議
品牌:
杭州鎵仁
關(guān)注度:
21
樣本:
暫無(wú)
型號(hào):
氧化鎵專(zhuān)用晶體生長(zhǎng)設(shè)備
產(chǎn)地:
浙江
信息完整度:
典型用戶(hù):
暫無(wú)
索取資料及報(bào)價(jià)
認(rèn)證信息
高級(jí)會(huì)員 第 1
名 稱(chēng):杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司
認(rèn) 證:工商信息已核實(shí)
訪問(wèn)量:373
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公司品牌
品牌傳達(dá)企業(yè)理念
產(chǎn)品簡(jiǎn)介

產(chǎn)品特性

產(chǎn)品概述

鎵仁半導(dǎo)體可提供高質(zhì)量氧化鎵專(zhuān)用長(zhǎng)晶設(shè)備

技術(shù)參數(shù)

晶體生長(zhǎng)爐設(shè)備指標(biāo)

**工作溫度:1820℃;

高溫工作氣氛:大氣環(huán)境(O2濃度 ≈ 21%);

連續(xù)工作時(shí)長(zhǎng):≥100h ,確保完成一爐晶體生長(zhǎng);

晶體生長(zhǎng)段溫度梯度:≈10 ℃/cm;

晶體生長(zhǎng)速度:0.2 ~ 4 mm/h。

高溫工藝段控溫精度:≤ ±0.2 ℃

全溫度段控溫精度:≤ ±0.3 ℃


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