參考價(jià)格
面議型號(hào)
FE-5000品牌
大塚電子產(chǎn)地
江蘇樣本
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特點(diǎn)
可在紫外和可見(250至800nm)波長(zhǎng)區(qū)域中測(cè)量橢圓參數(shù)
可分析納米級(jí)多層薄膜的厚度
可以通過(guò)超過(guò)400ch的多通道光譜快速測(cè)量Ellipso光譜
通過(guò)可變反射角測(cè)量,可詳細(xì)分析薄膜
通過(guò)創(chuàng)建光學(xué)常數(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)和追加菜單注冊(cè)功能,增強(qiáng)操作便利性
通過(guò)層膜貼合分析的光學(xué)常數(shù)測(cè)量可控制膜厚度/膜質(zhì)量
測(cè)量項(xiàng)目
測(cè)量橢圓參數(shù)(TANψ,COSΔ)
光學(xué)常數(shù)(n:折射率,k:消光系數(shù))分析
薄膜厚度分析
用途
半導(dǎo)體晶圓
柵氧化膜,氮化膜
SiO2,SixOy,SiN,SiON,SiNx,Al2O3,SiNxOy,poly-Si,ZnSe,BPSG,TiN
光學(xué)常數(shù)(波長(zhǎng)色散)
復(fù)合半導(dǎo)體
AlxGa(1-x)多層膜、非晶硅
FPD
取向膜
等離子顯示器用ITO、MgO等
各種新材料
DLC(類金剛石碳)、超導(dǎo)薄膜、磁頭薄膜
光學(xué)薄膜
TiO2,SiO2多層膜、防反射膜、反射膜
光刻領(lǐng)域
g線(436nm)、h線(405nm)、i線(365nm)和KrF(248nm)等波長(zhǎng)的n、k評(píng)估
原理
包括s波和p波的線性偏振光入射到樣品上,對(duì)于反射光的橢圓偏振光進(jìn)行測(cè)量。s波和p波的位相和振幅獨(dú)立變化,可以得出比線性偏振光中兩種偏光的變換參數(shù),即p波和S波的反射率的比tanψ相位差Δ。
產(chǎn)品規(guī)格
型號(hào) | FE-5000S | FE-5000 |
---|---|---|
測(cè)量樣品 | 反射測(cè)量樣品 | |
樣品尺寸 | 100x100毫米 | 200x200毫米 |
測(cè)量方法 | 旋轉(zhuǎn)分析儀方法*1 | |
測(cè)量膜厚范圍(ND) | 0.1納米- | |
入射(反射)的角度范圍 | 45至90° | 45至90° |
入射(反射)的角度驅(qū)動(dòng)方式 | 自動(dòng)標(biāo)志桿驅(qū)動(dòng)方法 | |
入射點(diǎn)直徑*2 | 關(guān)于φ2.0 | 關(guān)于φ1.2sup*3 |
tanψ測(cè)量精度 | ±0.01以下 | |
cosΔ測(cè)量精度 | ±0.01以下 | |
薄膜厚度的可重復(fù)性 | 0.01%以下*4 | |
測(cè)定波長(zhǎng)范圍*5 | 300至800納米 | 250至800納米 |
光譜檢測(cè)器 | 多色儀(PDA,CCD) | |
測(cè)量用光源 | 高穩(wěn)定性氙燈*6 | |
平臺(tái)驅(qū)動(dòng)方式 | 手動(dòng) | 手動(dòng)/自動(dòng) |
裝載機(jī)兼容 | 不可 | 可 |
尺寸,重量 | 650(W)×400(D)×560(H)mm 約50公斤 | 1300(W)×900(D)×1750(H)mm 約350公斤*7 |
軟件 | ||
分析 | *小二乘薄膜分析(折射率模型函數(shù),Cauchy色散方程模型方程,nk-Cauchy色散模型分析等) 理論方程分析(體表面nk分析,角度依賴同時(shí)分析) |
*1可以驅(qū)動(dòng)偏振器,可以分離不感帶有效的位相板。
*2取決于短軸?角度。
*3對(duì)應(yīng)微小點(diǎn)(可選)
*4它是使用VLSI標(biāo)準(zhǔn)SiO2膜(100nm)時(shí)的值。
*5可以在此波長(zhǎng)范圍內(nèi)進(jìn)行選擇。
*6光源因測(cè)量波長(zhǎng)而異。
*7選擇自動(dòng)平臺(tái)時(shí)的值。
測(cè)量示例
以梯度模型分析ITO結(jié)構(gòu)[FE-0006]
作為用于液晶顯示器等的透明電極材料ITO(氧化銦錫),在成膜后的退火處理(熱處理)可改善其導(dǎo)電性和色調(diào)。此時(shí),氧氣狀態(tài)和結(jié)晶度也發(fā)生變化,但是這種變化相對(duì)于膜的厚度是逐漸變化的,不能將其視為具有光學(xué)均勻組成的單層膜。
以下介紹對(duì)于這種類型的ITO,通過(guò)使用梯度模型,從上界面和下界面的nk測(cè)量斜率。
考慮到表面粗糙度測(cè)量膜厚度值[FE-0008]
當(dāng)樣品表面存在粗糙度(Roughness)時(shí),將表面粗糙度和空氣(air)及膜厚材料以1:1的比例混合,模擬為“粗糙層”,可以分析粗糙度和膜厚度。以下介紹了測(cè)量表面粗糙度為幾nm的SiN(氮化硅)的情況。
使用非干涉層模型測(cè)量封裝的有機(jī)EL材料[FE-0011]
有機(jī)EL材料易受氧氣和水分的影響,并且在正常大氣條件下它們可能會(huì)發(fā)生變質(zhì)和損壞。因此,在成膜后立即用玻璃密封。以下介紹在密封狀態(tài)下通過(guò)玻璃測(cè)量膜厚度的情況。玻璃和中間空氣層使用非干涉層模型。
使用多點(diǎn)相同分析測(cè)量未知的超薄nk[FE-0014]
為了通過(guò)擬合*小二乘法來(lái)分析膜厚度值(d)需要材料nk。如果nk未知,則d和nk都被分析為可變參數(shù)。然而,在d為100nm或更小的超薄膜的情況下,d和nk是無(wú)法分離的,因此精度將降低并且將無(wú)法求出精確的d。在這種情況下,測(cè)量不同d的多個(gè)樣本,假設(shè)nk是相同的,并進(jìn)行同時(shí)分析(多點(diǎn)相同分析),則可以高精度、精確地求出nk和d。
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大塚電子利用光技術(shù),開發(fā)出各種分析測(cè)量裝置,給客戶提供尖端測(cè)量技術(shù)支持。以測(cè)量技術(shù)、應(yīng)用示例等重點(diǎn)介紹為主,定期舉辦Webinar(網(wǎng)絡(luò)研討會(huì))。