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雙傾角約瑟夫森結(jié)制備系統(tǒng)
雙傾角約瑟夫森結(jié)制備系統(tǒng)

參考價格

面議

型號

QBT-J

品牌

韞茂科技

產(chǎn)地

福建

樣本

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廈門韞茂科技有限公司

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全自動四腔超高真空雙傾角鍍膜系統(tǒng)  QBT-J 

四腔體.jpg

約瑟夫森結(jié)超高壓系統(tǒng)


   全自動四腔超高真空雙傾角鍍膜系統(tǒng)專專業(yè)制備約瑟夫森結(jié)制備,可精確生長所需的金屬層和氧化絕緣層,確保高性能制備及高成品率;此鍍膜儀有進樣室、氬離子清洗室、電子束蒸 發(fā)室以及氧化室,共計四個高真空腔室,腔室間使用傳樣桿進行高真空傳樣,傳遞模組須采用抓取式設(shè)計;設(shè)備所有工藝均支持4英寸及以內(nèi)的晶圓或不規(guī)則樣品。設(shè)備整個工藝過程,可以完全按照用戶設(shè)置的參數(shù)自動化運行,工藝流程包括并不限于:抽真空,監(jiān)測氣壓,離子清洗,樣品位置調(diào)節(jié)、傳樣,加熱,電子束蒸發(fā)特 定厚度設(shè)置,自動調(diào)整氣壓等。


微信圖片_20220224094931.jpg

技術(shù)參數(shù)


QBT-J 技術(shù)參數(shù) Technical Specifications (雙傾角約瑟夫森結(jié)制備)
超高真空腔體 UHV Chamber4個UHV Chamber,包括Loadlock/Aneal, Ion Milling, Ebeam-Evaporation, Oxidation, 極限真空Ultimate Pressure<1E-9Torr
基板加熱 Wafer HeatingRT-900℃
離子束清洗 Ion Milling考夫曼離子源, Ion Energy 100-600eV, 100-1200eV, Ion Beam Current:20-200mA, Ф100基板刻蝕均一性<3%
電子束蒸發(fā) Ebeam EvaporationUHV 5 Linear Pocket Ebeam Evaporation Source, 8KW Power Supply
氧化 OxidationFlow and Static Mode Oxidation
基板操控能力 Wafer Tilt and Rotation可實現(xiàn)180度傾斜及360度旋轉(zhuǎn),0.1度的精準控制
基板傳輸 Wafer Transfer高度可靠和可重復(fù)的基板傳輸能力
人機界面 HMI全自動化人機操作界面
安全Safety工業(yè)標準安全互鎖Industry Safety Interlock,報警Alarm,EMO








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約瑟夫森結(jié)超高壓系統(tǒng):超高真空設(shè)計,真空互聯(lián)傳輸平臺,專為量子計算、超導(dǎo)應(yīng)用而生。

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