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雙腔室超高真空雙磁控測射系統(tǒng) QBT-P
磁控濺射技術原理
在陰極靶的表面上方形成一個正交電磁場。當濺射產生的二次電子在陰極位降區(qū)內被加速為高能電子后，并不直接飛向陽極，而是在正交電磁場作用下作來回振蕩的近似擺線的運動。高能電子不斷與氣體分子發(fā)生碰撞并向后者轉移能量，使之電離而本身變成低能電子。這些低能電子*終沿磁力線漂移到陰極附近的輔助陽極而被吸收，避免高能電子對極板的強烈轟擊，消除了二級濺射中極板被轟擊加熱和被電子輻照引起的損傷，體現(xiàn)出磁控濺射中極板“低溫”的特點。由于外加磁場的存在，電子的復雜運動增加了電離率，實現(xiàn)了高速濺射。
磁控濺射技術特點
成膜速率高，基片溫度低，膜的粘附性好，可實現(xiàn)大面積鍍膜
技術參數(shù)
| QBT-P 技術參數(shù) Technical Specifications （超導Ta/TiN/NbN/Al/Nb等制備） | |
| 超高真空腔體 UHV Chamber | 2個UHV Chamber,包括Loadlock及Sputtering, 極限真空Ultimate Pressure<3E-9Torr |
| 排氣速率Pumping Spead | 從ATM到1E-7Torr<20min (loadlock) |
| 基板加熱 Wafer Heating | RT-900oC |
| 離子束清洗 Ion Milling | 考夫曼離子源, Ion Energy 100-600eV, 100-1200eV; Ion Beam Current:20-200mA, Ф100基板刻蝕均一性<3% |
| 磁控濺射Sputtering | DC or RF Power Supply, 基板與靶材距離連續(xù)可調Wafer and Target Space can Change Continoulsly |
| 基板傳輸 Wafer Transfer | 高度可靠和可重復的基板傳輸能力 |
| 人機界面 HMI | 全自動化人機操作界面 |
| 安全Safety | 工業(yè)標準安全互鎖Industry Safety Interlock，報警Alarm，EMO |
工藝展示
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