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雙腔室超高真空雙磁控測(cè)射系統(tǒng) QBT-P
磁控濺射技術(shù)原理
在陰極靶的表面上方形成一個(gè)正交電磁場(chǎng)。當(dāng)濺射產(chǎn)生的二次電子在陰極位降區(qū)內(nèi)被加速為高能電子后，并不直接飛向陽(yáng)極，而是在正交電磁場(chǎng)作用下作來(lái)回振蕩的近似擺線的運(yùn)動(dòng)。高能電子不斷與氣體分子發(fā)生碰撞并向后者轉(zhuǎn)移能量，使之電離而本身變成低能電子。這些低能電子*終沿磁力線漂移到陰極附近的輔助陽(yáng)極而被吸收，避免高能電子對(duì)極板的強(qiáng)烈轟擊，消除了二級(jí)濺射中極板被轟擊加熱和被電子輻照引起的損傷，體現(xiàn)出磁控濺射中極板“低溫”的特點(diǎn)。由于外加磁場(chǎng)的存在，電子的復(fù)雜運(yùn)動(dòng)增加了電離率，實(shí)現(xiàn)了高速濺射。
磁控濺射技術(shù)特點(diǎn)
成膜速率高，基片溫度低，膜的粘附性好，可實(shí)現(xiàn)大面積鍍膜
技術(shù)參數(shù)
| QBT-P 技術(shù)參數(shù) Technical Specifications （超導(dǎo)Ta/TiN/NbN/Al/Nb等制備） | |
| 超高真空腔體 UHV Chamber | 2個(gè)UHV Chamber,包括Loadlock及Sputtering, 極限真空Ultimate Pressure<3E-9Torr |
| 排氣速率Pumping Spead | 從ATM到1E-7Torr<20min (loadlock) |
| 基板加熱 Wafer Heating | RT-900oC |
| 離子束清洗 Ion Milling | 考夫曼離子源, Ion Energy 100-600eV, 100-1200eV; Ion Beam Current:20-200mA, Ф100基板刻蝕均一性<3% |
| 磁控濺射Sputtering | DC or RF Power Supply, 基板與靶材距離連續(xù)可調(diào)Wafer and Target Space can Change Continoulsly |
| 基板傳輸 Wafer Transfer | 高度可靠和可重復(fù)的基板傳輸能力 |
| 人機(jī)界面 HMI | 全自動(dòng)化人機(jī)操作界面 |
| 安全Safety | 工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)安全互鎖Industry Safety Interlock，報(bào)警Alarm，EMO |
工藝展示
廈門韞茂科技有限公司憑借在先進(jìn)材料設(shè)備業(yè)務(wù)方面多年的經(jīng)驗(yàn)，韞茂為新型芯片，半導(dǎo)體和鋰電池領(lǐng)域的新材料開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)，提供***的納米工藝設(shè)備和服務(wù)解決方案。根據(jù)您的特殊需求，我們?yōu)槟ㄖ拼蛟靹?chuàng)新納米加工平臺(tái)，保證高品質(zhì)的設(shè)計(jì)，多功能，易于使用的界面，嚴(yán)格的安全控制，以及快速的交付和服務(wù)。
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