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薄膜熱應(yīng)力測量系統(tǒng)
薄膜熱應(yīng)力測量系統(tǒng)

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儀器簡介:

薄膜熱應(yīng)力測量系統(tǒng)(薄膜應(yīng)力儀,薄膜應(yīng)力計(jì),薄膜應(yīng)力測試儀),測量光學(xué)設(shè)計(jì)MOS傳感器榮獲美國**(**號(hào)US 7,391,523 B1)!同時(shí)kSA公司榮獲2008 Innovation of the Year Awardee!

該設(shè)備已經(jīng)廣泛被全球知名高等學(xué)府(如:Harvard University 2套,Stanford University,Johns Hopkins University,Brown University 2套,Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute,西安交通大學(xué),中國計(jì)量科學(xué)研究院,中科院微系統(tǒng)研究所,上海光機(jī)所等)、半導(dǎo)體制和微電子造商(如IBM.,Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC,Nissan ARC,Nichia Glass Corporation)等所采用;

同類設(shè)備:

薄膜應(yīng)力測試儀(薄膜應(yīng)力測量系統(tǒng),薄膜應(yīng)力計(jì));

薄膜殘余應(yīng)力測試儀;

實(shí)時(shí)原位薄膜應(yīng)力儀;

技術(shù)參數(shù):

Film Stress Tester, Film Stress Measurement System,F(xiàn)ilm Stress Mapping System;

1.變溫設(shè)計(jì):采用真空和低壓氣體保護(hù),溫度范圍RT~1000°C;

2.曲率分辨率:100km;

3.XY雙向程序控制掃描平臺(tái)掃描范圍:up to 300mm(可選);

4.XY雙向掃描速度:可達(dá)20mm/s;

5.XY雙向掃描平臺(tái)掃描步進(jìn)分辨率:2 μm ;

6.樣品holder兼容:50mm, 75mm, 100mm, 150mm, 200mm, and 300mm直徑樣品;

7.程序化控制掃描模式:選定區(qū)域、多點(diǎn)線性掃描、全面積掃描;

8.成像功能:樣品表面2D曲率、應(yīng)力成像,及3D成像分析;

9.測量功能:曲率、曲率半徑、應(yīng)力強(qiáng)度、應(yīng)力、Bow和翹曲等;

10.溫度均勻度:優(yōu)于±2攝氏度;

主要特點(diǎn): 1.**技術(shù):MOS多光束技術(shù)(二維激光陣列);

2.變溫設(shè)計(jì):采用真空和低壓氣體保護(hù),溫度范圍RT~1000°C;

3.樣品快速熱處理功能;

4.樣品快速冷卻處理功能;

5.溫度閉環(huán)控制功能,保證優(yōu)異的溫度均勻性和精度;

6.實(shí)時(shí)應(yīng)力VS.溫度曲線;

7.實(shí)時(shí)曲率VS.溫度曲線;

8.程序化控制掃描模式:選定區(qū)域、多點(diǎn)線性掃描、全面積掃描;

9.成像功能:樣品表面2D曲率成像,定量薄膜應(yīng)力成像分析;

10.測量功能:曲率、曲率半徑、薄膜應(yīng)力、薄膜應(yīng)力分布和翹曲等;

11.氣體(氮?dú)?、氬氣和氧氣等)Delivery系統(tǒng);

實(shí)際應(yīng)用:

創(chuàng)新點(diǎn)

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10分

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