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光譜橢偏儀DUV-VIS-NIR
光譜橢偏儀可配置從DUV到NIR的波長范圍。DUV范圍可用于測量超薄膜,如納米厚度范圍。比如硅晶片上的原生氧化物,其通常僅為約1至2nm厚。當用戶需要測量許多材料的帶隙時,深紫外光譜橢偏儀也是必不可少的??梢娀蚪t外范圍用于測量相對厚或非常厚的涂層。當然,如果必須確定光學(xué)常數(shù),則應(yīng)將工具的波長范圍配置為該范圍。其他配置,如波長分辨率,角度范圍等,將根據(jù)所需的應(yīng)用進行考慮。
光譜橢偏儀特征:
•基于Window軟件,易于操作;
•先進的光學(xué)設(shè)計,實現(xiàn)zui佳系統(tǒng)性能;
•高功率DUV-VIS-NIR光源,適用于寬帶應(yīng)用;
•基于陣列的探測器系統(tǒng),確保快速測量;
•用戶可以根據(jù)需要定義任意數(shù)量的圖層;
•能夠用于實時或在線厚度,折射率監(jiān)測;
•系統(tǒng)配有全面的光學(xué)常數(shù)數(shù)據(jù)庫;
•高級TFProbe 3.3.X軟件允許用戶對每個膠片使用NK表,色散或有效介質(zhì)近似(EMA);
•三種不同的用戶級別控制:工程師模式,系統(tǒng)服務(wù)模式和簡易用戶模式;
•靈活的工程模式,適用于各種配方設(shè)置和光學(xué)模型測試;
•強大的一鍵式按鈕解決方案,用于快速和常規(guī)測量;
•可按照用戶偏好配置測量參數(shù),操作簡便;
•系統(tǒng)全自動校準和初始化;
•直接從樣品信號獲得精確的樣品對齊接口,無需外部光學(xué)元件;
•精確的高度和傾斜程度調(diào)整;
•適用于許多不同類型的不同厚度的基材;
•各種選項,附件可用于特殊配置,如繪圖階段,波長擴展,焦點等;
•2D和3D輸出圖形以及用戶數(shù)據(jù)管理界面;
光譜橢偏儀應(yīng)用:
•半導(dǎo)體制造(PR,氧化物,氮化物......)
•液晶顯示器(ITO,PR,Cell gap ......)
•法醫(yī)學(xué),生物學(xué)材料
•油墨,礦物學(xué),顏料,調(diào)色劑
•制藥,醫(yī)療器械
•光學(xué)涂層,TiO2,SiO2,Ta2O5 ......
•半導(dǎo)體化合物
•MEMS / MOEMS中的功能薄膜
•無定形,納米和硅晶圓
•太陽能電池薄膜,CdTe,CdS,CIGS,AZO,CZTS ....
光譜橢偏儀技術(shù)參數(shù):
型號 | SE200 (DUV-Vis) | SE300 (Vis) | SE450 (Vis-Nir) | SE500 (DUV-Vis-Nir) |
探測器類型 | CCD或CMOS陣列 | CCD或CMOS陣列 | CCD或CMOS和InGaAs陣列 | CCD或CMOS和InGaAs陣列 |
波長范圍(nm) | 190至1100 | 370至1100 | 370-1700 | 190-1700 |
波長點 | 測量波長范圍和波長數(shù)據(jù)點均在用戶配方中自定義(數(shù)據(jù)點僅受分辨率限制) | |||
波長分辨率 | 0.01 -3nm | 0.01 -3nm | 0.01至3nm | 0.01至3nm |
數(shù)據(jù)采集時間 | 100毫秒到10秒,用戶自定義 | |||
入射角范圍 | 20至90度 | |||
入射角分辨率 | 帶手動測角儀的5度預(yù)設(shè)步驟,用于SExxx-BM配置; 程序控制0.001度分辨率,配有自動測角儀,適用于SExxx-BA配置 | |||
偏光光學(xué) | 旋轉(zhuǎn)偏振器,分析器和/或補償器的組合 | |||
光束尺寸 | 準直光束,光束尺寸可在1至5mm范圍內(nèi)調(diào)節(jié)光圈; 可選的聚焦光束模式(可拆卸)可用于減小光斑尺寸 | |||
光源 | (D2 + TH)/氙 | TH | TH | (D2 + TH)/氙 |
其他型號:
紅外光譜橢偏儀TFProbe IRSE
光譜橢偏儀顯微分光光度計 SE-MSP
光譜橢偏儀 SE-SOLAR太陽能光伏
光譜橢偏儀帶自動監(jiān)測 SE200BM,SE300BM和SE500BM
顯微分光光度計DUV-VIS-NIR MSP100/MSP300/MSP400/MSP450/MSP500
暫無數(shù)據(jù)!