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U-013-025-300帶電粒子探測器
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北京泰坤工業(yè)設(shè)備有限公司

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 帶電粒子探測器

1 帶電粒子的測量與探測器的基本類型

ORTEC帶電粒子硅探測器主要有金硅面壘和離子注入兩種工藝,其耗盡層厚度從10微米到幾個毫米厚不等。而根據(jù)其幾何形狀與是否全耗盡又有諸多類型。選擇合適的帶電粒子探測器,除應(yīng)用本身外,在探測器上應(yīng)從耗盡層厚度、結(jié)電容、漏電流、電子噪聲、能量分辨率等性能指標(biāo)上綜合權(quán)衡。

用于alpha能譜測量的ULTRA和ULTRA-AS探測器采用了表面鈍化和離子注入工藝(即PIPS探測器),該工藝的探測器有諸多優(yōu)點(diǎn):接觸極更薄,更堅固;低噪聲,對Alpha能譜分辨率好;使用邊緣鈍化技術(shù),可以使樣品離探測器入射窗小到1毫米。而一般的面壘型探測器*小只能達(dá)到2.5毫米。所以該類型探測器的效率要更高;常溫使用,探測器窗可擦拭。

Ultra-AS針對Ultra的區(qū)別或改進(jìn)是采用了進(jìn)一步低本底的材料,以專適于在ORTEC Alpha Suite譜儀。

ULTRA-CAM系列則是針對氣溶膠連續(xù)監(jiān)測設(shè)計,探測器具有特殊密閉和抗潮性能。

Beta能譜測量的難處在于常溫狀態(tài)下由硅探測器很難獲得良好的分辨率。ORTEC提供以下兩種解決方案:1,Beta-X Si(Li)一體化探測器(包含探頭,冷指前放);2,A和L系列可制冷的厚硅探測器。

帶電粒子探測器在核物理實驗中的應(yīng)用有諸多方面,ORTEC在其探測器類型上都有相應(yīng)的側(cè)重。比如重離子由于其高度電離和短徑跡特性,需要探測器在前接觸級具有強(qiáng)電場,適用的F系列探測器在前接觸級的場強(qiáng)為20,000V/cm。而對帶電粒子的時間譜測量,需要用ULTRA系列或能承受超電壓的強(qiáng)場局部耗盡探測器。

探測器的種類如下:(詳細(xì)資料致電我公司)

ULTRAULTRA-AS系列離子注入硅探測器

A系列局部耗盡金硅面壘探測器

B系列全耗盡金硅面壘探測器

C系列環(huán)形局部耗盡金硅面壘探測器

D系列平面全耗盡金硅面壘探測器

F系列局部耗盡重離子金硅面壘探測器

L系列鋰漂移硅(室溫)探測器

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