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脈沖激光沉積系統(tǒng)(PLD)
脈沖激光沉積系統(tǒng)(PLD)

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美國

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上海載德半導體技術有限公司

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脈沖激光沉積系統(tǒng)(PLD)、激光分子束外延設備(L-MBE) 設備簡介:

產(chǎn)地:美國NBM

PLD是將脈沖激光透過合成石英窗導入真空腔內(nèi)照射到成膜靶上,靶被照射后吸收高密度能量而形成的plume狀等離子體狀態(tài),然后被堆積到設在對面的基板上而成膜。PLD方法可以獲得擁有熱力學理論上準穩(wěn)定狀態(tài)的組成和構造的人工合成新材料。

我司PLD特點:我們PLD系統(tǒng)擁有**的性能價比,具有以下優(yōu)異的性能:

  • 主真空室腔體直徑18英寸,本底真空可達高真空:9X10E-9 Torr(要用Load-lock)。

  • 主真空室抽氣系統(tǒng)前級泵采用無油干泵

  • ★基片加熱溫度**可達1200℃。

  • 基片臺可360度旋轉(轉速1-20rpm可調)。

  • ★基片與靶之間方位采用靶在下方,基片在上方,均水平放置。基片與靶間距沿Z軸(即垂直地面方向)可調。

  • 6個裝靶的坩堝(或靶盤),各坩堝之間要求相互隔離,不互相污染。

  • ★激光器:Coherent 公司COMPexPro 201:Wavelength: 248 nm (KrF);Pulse Energy:700mJ;Max. Rep. Rate :10 Hz;Energy stability (one sigma) : 1%; Average Power: 5W;Pulse Duration: 25 ns;Beam Dimensions(V×H): 24×10 mm;Beam Divergence(V×H): 3×1 mrad.

  • ★Load Lock System一套(裝樣-送樣系統(tǒng)一套),采用transferengineering公司(Transfer Engineering and Manufacturing, Inc)的,本底真空1×10-5Pa,帶相應的分子泵。同一Load Lock系統(tǒng)既可以傳遞靶又可以傳遞基片,可兩者間切換操作。

  • 設備及光學臺可聯(lián)接在一起,始終保持腔體和激光束位置穩(wěn)定。支撐腿帶可調節(jié)的轉輪,方便在地面整體(包括腔體系統(tǒng)和激光器)同時移動與固定。

具體配置: 一, 超高真空腔體

二, 分子泵

三, 激光掃描系統(tǒng)

四, 襯底加熱鉑金片,**可達1200度

五, 基板加熱構造設計

六, 基板加熱電源

七, Rheed

八, Rheed軟件

九, 多靶位 ,標準配置6個1英寸靶

十, Load-Lock樣品傳輸腔體

技術參數(shù):

1. 靶:數(shù)量6個,大小1-2英寸,被激光照射時可自動旋轉,靶的選擇可通過步進電機控制。

2. 基板:采用適合于氧氣環(huán)境鉑金加熱片,大小2英寸,加熱溫度可達1200攝氏度,溫度差<3%,加熱時基板可旋轉,工作環(huán)境**壓力是300mtorr。

3. 基板加熱電源。

4. 超高真空成膜室腔體:不銹鋼sus304材質,內(nèi)表面電解拋光,本底真空度<5e-7 pa。

5. 樣品傳輸室:不銹鋼sus304材質,內(nèi)表面電解拋光,本底真空度<5e-5 pa。

6. 排氣系統(tǒng):分子泵和干式機械泵,進口知名品牌。

7. 閥門:采用超高真空擋板閥。

8. 真空檢測:真空計采用進口產(chǎn)品

9. 氣路兩套:采用氣體流量計(MFC)。

10. 薄膜成長監(jiān)控系統(tǒng):采用掃描型Rheed(可差分抽氣)。

11. 監(jiān)控軟件系統(tǒng):基板溫度的監(jiān)控和設定,基板和靶的旋轉,靶的更換。

12. 各種電流導入及測溫端子。

13. 其它各種構造:各種超高真空位移臺,磁力傳輸桿,超高真空法蘭,超高真空密封墊圈,超高真空用波紋管等。

感謝河南師范大學國家重點實驗室清華大學先進材料重點實驗室,北京大學微電子系華中科技大學材料學院 使用此研究級高性能的PLD系統(tǒng), 望我們高性能價格比的PLD為廣大科研人員提供幫助!!

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