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在高精度薄膜分析的膜厚測量儀基礎上,增加安裝了自動角度調(diào)節(jié)裝置,實現(xiàn)高速的薄膜測量和高精度的化學常數(shù)解析。可拆卸緩速器和旋轉(zhuǎn)分析儀也拓寬了測量的選擇范圍,提高了測量精度。FE-5OOOS 雖然和FE-5000有相同的基本功能,但是價格低,體積小。膜厚測量儀的用途也得到擴大。
— 可對應各種選配,膜厚的特制解析
測量項目:
-測量橢圓參數(shù)(TANψ,COSΔ)
-光學常數(shù)(n:折射率,k:消光系數(shù))分析
-薄膜厚度分析
應用范圍:
半導體晶圓
柵氧化膜,氮化膜
SiO2,SixOy,SiN,SiON,SiNx,Al2O3,SiNxOy,poly-Si,ZnSe,BPSG,TiN
光學常數(shù)(波長色散)
復合半導體
AlxGa(1-x)多層膜、非晶硅
FPD
取向膜
等離子顯示器用ITO、MgO等
各種新材料
DLC(類金剛石碳)、超導薄膜、磁頭薄膜
光學薄膜
TiO2,SiO2多層膜、防反射膜、反射膜
光刻領域
g線(436nm)、h線(405nm)、i線(365nm)和KrF(248nm)等波長的n、k評估
原理
包括s波和p波的線性偏振光入射到樣品上,對于反射光的橢圓偏振光進行測量。s波和p波的位相和振幅獨立變化,可以得出比線性偏振光中兩種偏光的變換參數(shù),即p波和S波的反射率的比tanψ相位差Δ。
測量示例:
1)考慮到表面粗糙度測量膜厚度值[FE-0008]
當樣品表面存在粗糙度(Roughness)時,將表面粗糙度和空氣(air)及膜厚材料以1:1的比例混合,模擬為“粗糙層”,可以分析粗糙度和膜厚度。以下介紹了測量表面粗糙度為幾nm的SiN(氮化硅)的情況。
測量示例:
1)考慮到表面粗糙度測量膜厚度值[FE-0008]
當樣品表面存在粗糙度(Roughness)時,將表面粗糙度和空氣(air)及膜厚材料以1:1的比例混合,模擬為“粗糙層”,可以分析粗糙度和膜厚度。以下介紹了測量表面粗糙度為幾nm的SiN(氮化硅)的情況。
2)使用非干涉層模型測量封裝的有機EL材料[FE-0011]
有機EL材料易受氧氣和水分的影響,并且在正常大氣條件下它們可能會發(fā)生變質(zhì)和損壞。因此,在成膜后立即用玻璃密封。以下介紹在密封狀態(tài)下通過玻璃測量膜厚度的情況。玻璃和中間空氣層使用非干涉層模型。
產(chǎn)品特點:
-可分析納米級多層薄膜的厚度
-可在紫外和可見(250至800nm)波長范圍內(nèi)進行橢偏測量
-可通過超過400ch的多通道光譜快速測量Ellipso光譜
-通過可變反射角測量,可詳細分析薄膜
-通過創(chuàng)建光學常數(shù)數(shù)據(jù)庫和追加菜單注冊功能,增強操作便利性
-通過層膜貼合分析的光學常數(shù)測量可控制膜厚度/膜質(zhì)量
*1可以驅(qū)動偏振器,可以分離不感帶有效的位相板。*2取決于短軸•角度。*3對應微小點(可選)*4它是使用VLSI標準SiO2膜(100nm)時的值。*5可以在此波長范圍內(nèi)進行選擇。*6光源因測量波長而異。*7選擇自動平臺時的值。
暫無數(shù)據(jù)!