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歐洲高性能霍爾效應(yīng)測(cè)量系統(tǒng)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體材料、低阻材料和高阻材料等物理性能的研究；可對(duì)多種重要物理參量如：電阻率、霍爾系數(shù)、載流子濃度、遷移率、磁電阻和V-I曲線等測(cè)量和分析；

可測(cè)試材料: 半導(dǎo)體材料：包括 SiGe， SiC， InAs， InGaAs， InP， AlGaAs， and HgCdTe，磚石鐵，氧體材料;

低阻材料：包括金屬、透明氧化物、稀磁半導(dǎo)體器件和TMR材料

高阻材料：包括半導(dǎo)體絕緣材料、GaAs、GaN、CdTe和光電探測(cè)器

技術(shù)參數(shù)：

電流源:

測(cè)量范圍: 1nA - 10 mA

輸出電壓: +/- 10V (+/-20V)

輸出電阻: typical 10¹³ Ohms

電流分辨率: 25 pA

電壓測(cè)量：

測(cè)量范圍: 10 mV - 10V（自動(dòng)量程選擇）

分辨率 : <500nV

輸入電阻: > 10¹³ Ohms

磁場(chǎng)范圍：0.45T~2T（牛津磁體）；

電阻測(cè)量范圍: 1x10^-3 Ohm - 1x10⁹ Ohm

電阻率測(cè)量范圍: 1 x10^-5 Ohm*cm - 1x10⁷ Ohm*cm

載流子濃度范圍: 10⁷ cm^-3 - 10²¹ cm^-3

主要特點(diǎn)：

電阻率Rho測(cè)量；

霍爾系數(shù)R_H測(cè)量；

V-I曲線測(cè)量；

V_H電壓測(cè)量；

載流子濃度測(cè)量；

載流子遷移率測(cè)量；

載流子形式測(cè)量（n or p）;

磁電阻等；

獨(dú)有的非線性電壓補(bǔ)償功能；

磁場(chǎng)大小可調(diào)；

自動(dòng)磁場(chǎng)校準(zhǔn)；

低溫選件：77K；

Van der Pauw和橋式barshape測(cè)量；