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儀器簡介：

桌面型原子層沉積系統(tǒng)由哈佛大學(xué)納米科學(xué)中心薄膜沉積工藝研究**科學(xué)家Dr. Philippe de Rouffignac設(shè)計，基于多年納米薄膜制備的豐富經(jīng)驗以及對科研工作者切實(shí)研究需要的了解，推出了此桌面型、高性能的原子層沉積系統(tǒng)。首臺設(shè)備自2015年在CNS安裝以來，到目前為止已有超過1500人次使用，人性化的設(shè)計、便捷的操作和優(yōu)質(zhì)的成膜工藝，贏得了眾多科研工作者的贊譽(yù)。

原子層沉積技術(shù)可沉積材料：

氧化物: Al2O3， ZrO2， HfO2， Ta2O5， SnO2， RuO2， ZnO， SrTiO3等

氮化物: TiN， NbN， TaN， Ta3N5， MoN， WN， TiSiN， SiN等

單一物質(zhì): Si， Ge， Cu， Mo， W， Ta， Ru等

半導(dǎo)體材料: GaAs， Si， InAs， InP， GaP， InGaP等

原子層沉積系統(tǒng)可以廣泛應(yīng)用于:

半導(dǎo)體領(lǐng)域：晶體管柵極電介質(zhì)層（高k材料），光電元件的涂層，晶體管中的擴(kuò)散勢壘層和互聯(lián)勢壘層（阻止摻雜劑的遷移），有機(jī)發(fā)光顯示器的反濕涂層和薄膜電致發(fā)光(TFEL)元件，集成電路中的互連種子層，DRAM和MRAM中的電介質(zhì)層，集成電路中嵌入電容器的電介質(zhì)層，電磁記錄頭的涂層，集成電路中金屬-絕緣層-金屬（MIM）電容器涂層。

納米技術(shù)領(lǐng)域：中空納米管，隧道勢壘層，光電電池性能的提高，納米孔道尺寸的控制，高高寬比納米圖形，微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）的反靜態(tài)阻力涂層和憎水涂層的種子層，納米晶體，ZnSe涂層，納米結(jié)構(gòu)，中空納米碗，存儲硅量子點(diǎn)涂層，納米顆粒的涂層，納米孔內(nèi)部的涂層，納米線的涂層。

技術(shù)參數(shù)：

1. 腔室專為R&D設(shè)計和優(yōu)化，樣品尺寸達(dá)直徑4’’，支持?jǐn)U展6‘’；

2. 反應(yīng)腔溫度可控范圍：RT-350℃；

3. 前驅(qū)體源溫度可控范圍：RT-150℃；

4. 腔室處理壓力可控范圍：0.1-1.5 torr；

5. 源擴(kuò)展多達(dá)5個；

6. 快速循環(huán)處理功能；

7. 氣路**化設(shè)計、腔體小型化設(shè)計；

8. 一分鐘多達(dá)6-10；

9. 成熟的薄膜Recipes內(nèi)置程序；

10. 觸屏PLC控制；

11. 可配套手套箱使用；

12. 可配備臭氧發(fā)生器；

具體規(guī)格，歡迎與我公司聯(lián)系。