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kSA BandiT 是一種非接觸、實(shí)時(shí)測(cè)量半導(dǎo)體襯底表面真實(shí)溫度的測(cè)試系統(tǒng)，采用半導(dǎo)體材料吸收邊隨溫度的變化，實(shí)時(shí)測(cè)量晶片/襯底的溫度；并且kSA BandiT 已經(jīng)成功地安裝到眾多的MBE， MOCVD， Sputter， PLD等半導(dǎo)體沉積設(shè)備上，實(shí)現(xiàn)了高精度、晶片的溫度實(shí)時(shí)檢測(cè)。

新款的kSA BandiT多晶片溫度監(jiān)控軟件結(jié)合了自動(dòng)伺服馬達(dá)控制的掃描檢測(cè)功能，從而實(shí)現(xiàn)了MBE外延薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中多襯底溫度實(shí)時(shí)Mapping檢測(cè)。

技術(shù)參數(shù)：

溫度范圍：室溫~750攝氏度（可達(dá)1300攝氏度）；

溫度重復(fù)性：0.2攝氏度；

溫度分辨率：0.1攝氏度；

穩(wěn)定性：+/-0.2攝氏度；

主要特點(diǎn)：

*實(shí)時(shí)、非接觸、非入侵、直接的Wafer溫度精確監(jiān)測(cè)；

*多基片/晶片表面2D溫度Mapping監(jiān)測(cè)；

*真實(shí)的Wafer表面或薄膜溫度監(jiān)測(cè)；

*整合了先進(jìn)的黑體輻射監(jiān)測(cè)技術(shù)；

*沉積速率和薄膜厚度分析；

*表面粗糙度分析功能；

*測(cè)量激光波長(zhǎng)范圍可選（例如：可見(jiàn)光波段、近紅外波段等）

*避免了發(fā)射率變化對(duì)測(cè)量的影響；

*無(wú)需沉積設(shè)備Viewport特殊涂層；

應(yīng)用實(shí)例：