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薄膜/涂層殘余應(yīng)力儀
薄膜/涂層殘余應(yīng)力儀

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涂層應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)(kSA MOS Coating Stress tester,薄膜應(yīng)力測(cè)試儀)采用非接觸MOS激光技術(shù);不但可以準(zhǔn)確的對(duì)樣品表面應(yīng)力分布進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析,而且還可以進(jìn)行樣品表面二維應(yīng)力、曲率成像分析;并且這種設(shè)計(jì)可以保證所有陣列的激光光點(diǎn)一直在同一頻率運(yùn)動(dòng)或掃描,從而有效的避免了外界振動(dòng)對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響;同時(shí)大大提高了測(cè)試的分辨率;適合各種材質(zhì)和厚度薄膜應(yīng)力分析;

該設(shè)備已經(jīng)廣泛被全球知名高等學(xué)府(如:Harvard University 2套,Stanford University,Johns Hopkins University,Brown University 2套,Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute,西安交通大學(xué),中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院等)、半導(dǎo)體制和微電子造商(如IBM.,Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC,Nissan ARC,Nichia Glass Corporation)等所采用;

相關(guān)產(chǎn)品:

*實(shí)時(shí)原位薄膜應(yīng)力儀(kSA MOS Film Stress Tester):同樣采用先進(jìn)的MOS技術(shù),可裝在各種真空沉積設(shè)備上(如:MBE, MOCVD, sputtering, PLD, PECVD, and annealing chambers ects),對(duì)于薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中的應(yīng)力變化進(jìn)行實(shí)時(shí)原位測(cè)量和二維成像分析;

*薄膜熱應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)(kSA MOS Thermal-Scan Film Stress Tester)

技術(shù)參數(shù):

kSA MOS Film Stress Tester, kSA MOS Film Stress Measurement System,kSA MOS Film Stress Mapping System;

1.XY雙向程序控制掃描平臺(tái)掃描范圍:300mm (XY)(可選);

2.XY雙向掃描速度:可達(dá)20mm/s;

3.XY雙向掃描平臺(tái)掃描步進(jìn)分辨率:2 μm ;4.樣品holder兼容:50mm, 75mm, 100mm, 150mm, 200mm, and 300mm直徑樣品;

5.程序化控制掃描模式:選定區(qū)域、多點(diǎn)線性掃描、全面積掃描;

6.成像功能:樣品表面2D曲率、應(yīng)力成像,及3D成像分析;

7.測(cè)量功能:曲率、曲率半徑、應(yīng)力強(qiáng)度、應(yīng)力、Bow和翹曲等;

主要特點(diǎn):

1.程序化控制掃描模式:?jiǎn)吸c(diǎn)掃描、選定區(qū)域、多點(diǎn)線性掃描、全面積掃描;

2.成像功能:樣品表面2D曲率成像,定量薄膜應(yīng)力2D成像分析;

3.測(cè)量功能:薄膜應(yīng)力、翹曲、曲率半徑等;

4.支持變溫?zé)釕?yīng)力測(cè)量功能,溫度范圍-65C to 1000C

5.薄膜殘余應(yīng)力測(cè)量;

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