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PECVD：是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應(yīng)，因而這種CVD稱(chēng)為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD).

我司按照客戶不同的應(yīng)用需求，提供高質(zhì)量的PECVD滿足不同的研究生產(chǎn)需求。

我司提供的PECVD系統(tǒng)可以沉積高質(zhì)量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、類(lèi)金剛石薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜等。**沉積尺寸為12英寸。

通常選用射頻淋浴源(RF)或帶有不規(guī)則氣體分布的空心陰極射頻等離子體源作為反應(yīng)源產(chǎn)生等粒子體。

部分PECVD可以升級(jí)到PECVD & 反應(yīng)離子蝕刻雙功能系統(tǒng)(帶ICP源)。

系統(tǒng)參數(shù)：

• 腔體極限真空度:10^-7 torr；

• 等粒子源: 射頻淋浴源（RF）、空心陰極高密度等離子體源（HCD）、感應(yīng)耦合等離子體源(ICP)或微波等離子體源， VHF（甚高頻）電源

• 襯體直徑:**12” (300 mm)直徑

• 帶RF偏壓的襯底托；

• 加熱溫度:**800°C；

• **可達(dá)8路MFC和多樣化的氣體選擇；

• 均勻性：≤±3%；

• 預(yù)抽真空室和自動(dòng)晶片裝卸門(mén)；

• 全自動(dòng)控制；

應(yīng)用領(lǐng)域：

• 等離子誘導(dǎo)表面改性；

• 等離子清洗；

• 等離子聚合；

• SiO2， Si3N4， DLC及其它薄膜；

• 碳納米管(CNT)的選擇性生長(zhǎng)。