單晶圓清洗設(shè)備

應(yīng)用領(lǐng)域

? 沉積前清洗

? 蝕刻后清洗

? CMP后清洗

? RCA標準清洗

? W Loop后清洗

? Cu Loop后清洗

? 去除BEOL聚合物

? 深層Trench/Via清洗

? 薄膜去除

? TSV后清洗

? EPI前清洗

? ALD前清洗

主要優(yōu)勢和特性規(guī)格（Ultra C II & Ultra C V & Ultra C VI）

可配8腔體，12腔體和18腔體，產(chǎn)能可達225片/小時,375片/小時和800片/小時

具有雙面清洗的能力，*多可配至5種清洗藥液，如：DHF, DSP+, f-DIW, FOM, SC1, SC2, DIO3, ST250, EKC580, NE111, IPA或配方藥液；集成式藥液供給模塊

*多可回收2種藥液，低COO

可選配常溫IPA或者高溫IPA增強型干燥技術(shù)

可選配氮氣霧化DIW二流體清洗或氮氣霧化SC1二流體清洗來輔助去除顆粒雜質(zhì)

可選配盛美研發(fā)的SAPS兆聲波技術(shù)進行平坦表面或深孔結(jié)構(gòu)中的濕法清洗

可選配盛美研發(fā)的TEBO兆聲波技術(shù)對圖形片來進行高效無損傷清洗

設(shè)備尺寸：Ultra C II 2.35m x 5.53m x 2.85m, Ultra C V 2.35m x 6.7m x 2.85m, Ultra C VI 2.35m×6.30m×2.85m (寬×長×高)