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主要優(yōu)勢

配置了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的腔體設(shè)計和單腔體多加熱盤布局

配置了特殊的氣體分配裝置和卡盤設(shè)計

針對薄膜疊層的變換可以提供更好的薄膜均勻性，更優(yōu)的薄膜應(yīng)力和更少的顆粒特性

兼顧高產(chǎn)能要求每個腔體都安裝有多個加熱盤

靈活配置腔體數(shù)量兼顧不同產(chǎn)能要求

自主開發(fā)的控制軟件能夠靈活配置滿足相應(yīng)需求

獨(dú)特設(shè)計的真空機(jī)械手臂匹配腔體多加熱盤晶圓存取規(guī)則

工藝溫度兼容200C到650C的各種PECVD沉積薄膜要求

特性和規(guī)格

可適用于300mm晶圓各種薄膜沉積需求

該設(shè)備采用單腔體模塊化設(shè)計，有兩種配置：
　　　　一種是可配置一至三腔體模塊，適用于沉積比較薄的薄膜兼顧產(chǎn)能大小
　　　　一種是可配置四至五腔體模塊，適用于沉積比較厚的薄膜兼容長臂真空機(jī)械手臂