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主要優(yōu)勢(shì)

在CMP步驟之后，需要在低溫下使用稀釋的化學(xué)品進(jìn)行物理預(yù)清洗工藝，以減少顆粒數(shù)量。盛美上海的Post-CMP清洗設(shè)備能夠滿足這些要求，并提供多種配置，包括盛美上海自主研發(fā)的 Smart MegasonixTM先進(jìn)清洗技術(shù)。

特性和規(guī)格（Ultra C WPN（WIDO））

在線預(yù)清洗設(shè)備：
　　　　可實(shí)現(xiàn)37納米以下少于15個(gè)剩余顆粒或28納米以下
　　　　20-25個(gè)剩余顆粒
　　　　金屬污染可控制在1E+8（原子/平方厘米）以內(nèi)
　　　　當(dāng)配置4個(gè)腔體的時(shí)候，產(chǎn)能可達(dá)每小時(shí)35片晶圓

離線預(yù)清洗設(shè)備：
　　　　可實(shí)現(xiàn)37納米以下少于15個(gè)剩余顆粒或28納米以下
　　　　20-25個(gè)剩余顆粒
　　　　占地面積小

特性和規(guī)格（Ultra C WPN（DIDO））

可配置四個(gè)裝載端口

占地面積小

可配置四或六個(gè)腔體，分別為兩個(gè)軟刷和兩個(gè)清洗腔體或兩個(gè)軟刷和四個(gè)清洗腔體

可實(shí)現(xiàn)37納米以下少于15個(gè)剩余顆粒或28納米以下20-25個(gè)剩余顆粒

**產(chǎn)能可達(dá)每小時(shí)60片晶圓