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美國Trion 反應式離子刻蝕(RIE/ICP)系統(tǒng)及沉積(PECVD)系統(tǒng):Orion III,Oracle III,Minilock-Orion III,Phantom III,Minilock-Phantom III,SirueT2
Trion始于一九八九年的等離子刻蝕與沉積系統(tǒng)制造商,Trion為化合物半導體、MEMS(微機電系統(tǒng))、光電器件以及其他半導體市場提供多種設備。我們的產品在業(yè)內以系統(tǒng)占地面積*小、成本低而著稱,且設備及工藝的可靠性和穩(wěn)定性久經考驗。從整套的批量生產用設備,到簡單的實驗室研發(fā)用系統(tǒng),盡在Trion。
Trion提供升級及回收方案給現有Matrix客戶。
批量生產用設備:
去膠系統(tǒng)
- 低損傷去膠系統(tǒng)
新式去膠系統(tǒng)的成本已攀升到不合理水平,但Trion已通過兩套價格低廉、緊湊的多功能系統(tǒng)使這一關鍵問題得到解決:Gemini和Apollo。利用ICP(電感耦合等離子)、微波和射頻偏置功率,可以在低溫條件下將難于消除的光刻膠去除。根據應用要求,每套系統(tǒng)可以結合SST-Lightning 微波源(既可靠又沒有任何常見的微波調諧問題) 或ICP 技術。
• 刻蝕速率高達6微米/分
• 高產量
• 等離子損傷低
• 自動匹配單元
• 適用于100mm 到300mm 基片
• 設備占地面積小
• 價格具競爭性
刻蝕/沉積
Titan是一套用于半導體生產的十分緊湊、全自動化、帶預真空室的等離子系統(tǒng)。
Titan具有反應離子刻蝕(RIE)配置、高密度電感耦合等離子沉積(HDICP)或等離子增強型化學汽相沉積(PECVD)配置??蓪蝹€基片或帶承片盤的基片(3”-300mm)進行處理。它還具有多尺寸批量處理功能。價格適宜且占地面積小。
刻蝕應用范圍:砷化鎵、砷化鋁鎵、氮化鎵、磷化鎵、磷化銦、鋁、硅化物、鉻以及其他要求腐蝕性和非腐蝕性化學刻蝕的材料。
沉積應用范圍:
二氧化硅、氮化硅、氮氧化物和其他各種材料。
具有ICP選件的Titan系統(tǒng)
Oracle III由中央真空傳輸系統(tǒng)(CVT)、真空盒升降機和*多四個工藝反應室構成。這些工藝反應室與中央負載鎖對接,既能夠以生產模式運行,也能夠作為單個系統(tǒng)獨立作業(yè)。 Oracle III是市場上*靈活的系統(tǒng),既可以為實驗室環(huán)境進行配置(使用單基片裝卸),也可以為批量生產進行配置(使用真空盒升降機進行基片傳送)。
由于Oracle III *多可容納四個獨立的工藝室,其可以有多種不同的工藝組合,其中包括RIE/ICP (反應離子刻蝕機/電感耦合等離子)刻蝕和PECVD 沉積。多個室可以同時工作。鑒于所有工藝室均有真空負載鎖,工藝運行安全且沒有大氣污染。
Oracle III是市場上*小的批量生產用集成系統(tǒng)。
深硅刻蝕:
- 5μm/min的刻蝕速率
- 小于6%的不均勻性
- 刻蝕深度可達300μm
- 相對于光刻膠15:1的選擇率
- 垂直光滑的壁面
- 縱橫比可達12:1
5 um wide Si trench etch
200um Si trench etch
120um Si Trench etch
40um wide x 320um deep
Slope approx. 88 degrees
Etching of GaAs/AlGaAs Heterostructures
InP Lens Etch 5.2 micron lens height with PR mask
GaN LED Etch
2.6 micron depth with PR
小批量生產用設備:
沉積 (PECVD)
Minilock-Orion III是一套***的等離子增強型化學汽相沉積(PECVD)系統(tǒng)。 系統(tǒng)的下電極尺寸可為200mm或300mm,且根據電極配置,可以處理單個基片或帶承片盤的基片(3” - 300mm尺寸),或者多尺寸批量處理基片(4x3”; 3x4”; 7x2”)??沙练e的薄膜包括:氧化物、氮氧化物、無定形硅和碳化硅??梢允褂玫姆磻獨怏w包括:100%硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亞氮、氧、氮、三甲基硅烷和甲烷。
該系統(tǒng)可選配一個三極管(Triode)或電感耦合等離子(ICP)源。其中三極管使得用戶可以創(chuàng)建高密度等離子,從而控制薄膜應力?;ㄟ^預真空室裝入工藝室,其避免了與工藝室以及任意殘余沉積副產品接觸,從而提高了用戶的安全性。預真空室還使得工藝室始終保持在真空下,從而保持反應室與大氣隔絕。
Minilock-Orion III PECVD
刻蝕 (RIE)
Minilock-Phantom III 具有預真空室的反應離子刻蝕機。適用于單個基片或帶承片盤的基片(3” - 300mm尺寸),為實驗室和試制線生產環(huán)境提供***的刻蝕能力。它也具有多尺寸批量處理(4x3”; 3x4”; 7x2”)。系統(tǒng)有多達七種工藝氣體可以用于刻蝕各種薄膜,如氧化硅、氮化硅、多晶硅、鋁、砷化鎵、鉻、銅、磷化銦和鈦。該反應室還可以用于去除光刻膠和有機材料??蛇x配靜電吸盤(E-chuck),以便更有效地在刻蝕工藝中讓基片保持冷卻。該E-chuck使用氦壓力控制器,及在基片背面保持一個氦冷卻層,從而達到控制基片溫度的作用。
該設備可選配一個電感耦合等離子(ICP)源,其使得用戶可以創(chuàng)建高密度等離子,從而提高刻蝕速率和各向異性等刻蝕性能。
Minilock-Phantom III具有ICP(感應耦合等離子)選項的刻蝕系統(tǒng)
實驗室/研發(fā)/芯片失效分析用設備:
沉積
Orion III 等離子增強型化學汽相沉積(PECVD)系統(tǒng)適用于單個基片、碎片或帶承片盤的基片(2” - 300mm尺寸),為實驗室和試制線生產提供***的沉積能力。Orion III系統(tǒng)用于非發(fā)火PECVD工藝。沉積薄膜:氧化物、氮氧化物、氮化物和無定形硅。工藝氣體 :<20% 硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亞氮、氧和氮。該設備可選配一個ICP或三極管(Triode)源。
Orion III
刻蝕
Phantom III反應離子蝕刻(RIE)系統(tǒng)適用于單個基片、碎片或帶承片盤的基片300mm尺寸,為實驗室和試制線生產提供***的等離子蝕刻能力。系統(tǒng)有多達七種工藝氣體可以用于蝕刻氮化物、氧化物以及任何需要氟基化學刻蝕的薄膜或基片(如碳、環(huán)氧樹脂、石墨、銦、鉬、氮氧化物、聚酰亞胺、石英、硅、氧化物、氮化物、鉭、氮化鉭、氮化鈦、鎢以及鎢鈦)
Phantom III
Sirus T2 臺面式反應離子刻蝕機(RIE)可用于介質以及其它要求氟化基化學的薄膜刻蝕。用於對矽、 二氧化矽、 氮化矽、石英、聚亞醯胺、鉭、鎢、鎢鈦以及其他要求特徵控制,高度選擇性和良好一致性的材料進行蝕刻。
本機包含200mm下電極, 系統(tǒng)控制器(含電腦主機及觸控介面),13.56MHz, 300/600W 射頻發(fā)生器及自動調諧,**四路/六路工藝氣體及自動壓力控制模塊等。占地面積小且堅固耐用,非常適合用於研發(fā),實驗室環(huán)境及失效分析。
Sirus T2 - 臺面式反應離子刻蝕機
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