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EBPG5150使用了155mm大小的樣品臺(tái)，采用跟EBPG5200一樣的通用光刻平臺(tái)設(shè)計(jì)，對(duì)電子束直寫(xiě)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。它可以載入不同大小的樣品，包括多片散片以及完整的硅片。
00001. 高束流密度，熱場(chǎng)發(fā)射電子槍可以在20、50和100kV之間切換
00002. 155mm的平臺(tái)
00003. *小曝光特征尺寸小于8nm
00004. 高速度曝光，可采用50或100MHz的圖形發(fā)生器
00005. 在所有KVs加速電壓下，可連續(xù)改變的寫(xiě)場(chǎng)大小，**可以到1mm
00006. GUI人機(jī)交互界面友好，簡(jiǎn)潔易用，適用于多用戶環(huán)境
00007. 多項(xiàng)靈活可選擇的配置，可以適用于不同應(yīng)用的需求
EBPG5150可以選擇不同的升級(jí)選項(xiàng)，以滿足用戶不同的技術(shù)和預(yù)算需求。讓全世界的高校等研究類用戶也可以使用這款非常先進(jìn)、高自動(dòng)化的電子束光刻系統(tǒng)。
· 電子束曝光用于制作GaAs T型器件
· 微盤(pán)諧振器
· 開(kāi)口環(huán)諧振器
主要應(yīng)用： · 100KV高加速電壓可用于曝光高深寬比納米結(jié)構(gòu) · 高速電子束直寫(xiě) · 批量生產(chǎn)，如化合物半導(dǎo)體器件 · 防偽標(biāo)識(shí) | 電子光學(xué)柱技術(shù)： · EBPG · 電子束 · 100 kV |
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