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LPCVD 低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備
LPCVD 低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備

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型號

LPCVD 低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備

品牌

鵬城微納

產(chǎn)地

沈陽

樣本

暫無
鵬城微納技術(shù)(沈陽)有限公司

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LPCVD低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備(科研型LPCVD)簡介

是在低壓高溫的條件下,通過化學(xué)反應(yīng)氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜(主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜)??捎糜诳茖W(xué)研究、實踐教學(xué)、小型器件制造。

設(shè)備結(jié)構(gòu)及特點

1、小型化,方便實驗室操作和使用,大幅降低實驗成本
兩種基片尺寸2英寸或4英寸;每次裝片1~3片。

基片放置方式:配置三種基片托架,豎直、水平臥式、帶傾角。

基片形狀類型:不規(guī)則形狀的散片、φ2~4英寸標(biāo)準(zhǔn)基片。

2、設(shè)備為水平管臥式結(jié)構(gòu)

由石英管反應(yīng)室、隔熱罩爐體柜、電氣控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)、壓力控制系統(tǒng)及氣瓶柜等系統(tǒng)組成。

反應(yīng)室由高純石英制成,耐腐蝕、抗污染、漏率小、適合于高溫使用; 設(shè)備電控部分采用了先進(jìn)的檢測和控制系統(tǒng),量值準(zhǔn)確,性能穩(wěn)定、可靠。


LPCVD設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)

 類型參數(shù) 
 成膜類型

 Si3N4、Poly-Si、SiO2

 **溫度 1200℃
 恒溫區(qū)長度 根據(jù)用戶需要配置
 恒溫區(qū)控溫精度 ≤±0.5℃
 工作壓強(qiáng)范圍 13~1330Pa
 膜層不均勻性 ≤±5%
 基片每次裝載數(shù)量 標(biāo)準(zhǔn)基片:1~3片;不規(guī)則尺寸散片:若干
 壓力控制 閉環(huán)充氣式控制
 裝片方式 手動進(jìn)出樣品




LPCVD低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備(生產(chǎn)型LPCVD)簡介

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整個工藝過程由計算機(jī)對全部工藝流程進(jìn)行管理,實現(xiàn)爐溫、氣體流量、壓力、閥門動作、泵的啟閉等工藝參數(shù)進(jìn)行監(jiān)測和自動控制。也可以手動控制。

設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)

 類型參數(shù) 
 成膜類型

Si3N4、Poly-Si、SiO2

 **溫度 1200℃
 恒溫區(qū)長度 根據(jù)用戶需要配置
 恒溫區(qū)控溫精度 ≤±0.5℃
 工作壓強(qiáng)范圍 13~1330Pa
 膜層不均勻性 ≤±5%
 基片每次裝載數(shù)量 100片
 設(shè)備總功率 16kW
 冷卻水用量 2m3/h
 壓力控制 閉環(huán)充氣式控制
 裝片方式 懸臂舟自動送樣


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產(chǎn)品質(zhì)量

10分

售后服務(wù)

10分

易用性

10分

性價比

10分
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