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LP-CVD多晶 摻雜多晶爐
LP-CVD多晶 摻雜多晶爐

參考價(jià)格

面議

型號(hào)

LP-CVD多晶 摻雜多晶爐

品牌

賽瑞達(dá)

產(chǎn)地

江蘇

樣本

暫無
賽瑞達(dá)智能電子裝備(無錫)有限公司

高級(jí)會(huì)員

|

第1年

|

生產(chǎn)商

工商已核實(shí)

留言詢價(jià)
核心參數(shù)
  • 非金屬電熱元件:

    其他
  • 金屬電熱元件:

    其他
  • 燒結(jié)氣氛:

    其他
  • 溫控精度:

    -
  • 最高溫度:

    800 ℃
  • 額定溫度:

    -
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優(yōu)勢

◆快速的工藝認(rèn)證,可以極高的提升生產(chǎn)

◆專業(yè)的高效電池制造

◆良好的膜厚均勻性,較長的恒溫區(qū)

◆更大的正常運(yùn)行時(shí)間和更低的成本,良好的服務(wù)和支持確保了長期**的生產(chǎn)能力

◆Ivoc:>740mV(鈍化后)

主要特點(diǎn)

◆產(chǎn)能:2200~2880pcs/管

◆管數(shù):5管/6管

◆硅片尺寸:182-230mm硅片

◆壓力控制:APC控制

◆系統(tǒng)控制:PLC和PC控制基礎(chǔ)

◆通訊:Melsec,MES,I/O,SECS-II等

◆自動(dòng)化集成:用于客戶優(yōu)化和MES控制集成的全自動(dòng)化解決方案

◆運(yùn)行時(shí)間:97%

硬件規(guī)格

◆**溫度:800℃

◆溫度均勻性:500℃~700℃±0.5℃

◆晶圓裝載法:碳化硅懸臂槳

工藝規(guī)范

◆膜厚:1000A~3000A

◆厚度均勻性:<5%(片內(nèi)/片間/批間均勻性)

◆未摻雜多晶硅(硅烷)

◆N型摻雜多晶硅PH3

◆P型摻雜多晶硅B2H6


創(chuàng)新點(diǎn)

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用戶評(píng)論

產(chǎn)品質(zhì)量

10分

售后服務(wù)

10分

易用性

10分

性價(jià)比

10分
評(píng)論內(nèi)容
暫無評(píng)論!
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