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有了在刻蝕工藝發(fā)展上無比廣泛的經(jīng)驗和我們應(yīng)用工程師的支持， 牛津儀器向世界范圍內(nèi)的生產(chǎn)商和研發(fā)者提供刻蝕工藝解決方案的經(jīng)驗向我們提供了強(qiáng)大的刻蝕工藝庫和刻蝕工藝能力。

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化合物半導(dǎo)體

刻蝕AlGaN/GaN/AlN—刻蝕氮化鋁鎵

深度刻蝕GaP—感應(yīng)耦合等離子體刻蝕磷化鎵

刻蝕GaAs/AlGaAs—刻蝕砷化鎵/砷化鋁鎵

刻蝕GaSb—刻蝕銻化鎵

刻蝕GaN—刻蝕氮化鎵

刻蝕InSb—刻蝕銻化銦

刻蝕InP/InGaAsP—刻蝕磷化銦/銦鎵砷磷

刻蝕InGaAlP—刻蝕鋁鎵銦磷

刻蝕InP—刻蝕磷化銦

刻蝕InAlAs—刻蝕砷化銦鋁

刻蝕InP/InGaAsP—刻蝕磷化銦/銦鎵砷磷

刻蝕ZnSe—反應(yīng)離子刻蝕硒化鋅

電介質(zhì)

刻蝕(Ta2O5)—五氧化二鉭

刻蝕Al2O3—刻蝕氧化鋁—感應(yīng)耦合等離子體刻蝕藍(lán)寶石

GST刻蝕- 鍺銻碲化物的ICP刻蝕技術(shù)

感應(yīng)耦合等離子體刻蝕Bi2Te3—刻蝕碲化鉍

反應(yīng)離子刻蝕ITO—刻蝕銦錫氧化物

干法刻蝕LiNbO3—刻蝕鈮酸鋰

干法刻蝕LiTaO3—刻蝕鉭酸鋰

刻蝕PZT—刻蝕鋯鈦酸鉛

刻蝕PbSe—刻蝕硒化鉛

刻蝕SiC—刻蝕碳化硅

金屬

刻蝕Al—感應(yīng)耦合等離子體刻蝕鋁

濺射刻蝕Au—濺射刻蝕金

刻蝕Cr—刻蝕鉻

Cu刻蝕（反應(yīng)離子刻蝕）—刻蝕銅

刻蝕Mo—刻蝕鉬

刻蝕Nb（反應(yīng)離子刻蝕，感應(yīng)耦合等離子體）—刻蝕鈮

刻蝕Ni—刻蝕鎳

離子束刻蝕Ni—刻蝕鎳鉻合金

濺射刻蝕Pt—濺射刻蝕鉑

刻蝕Ti—超大刻蝕深度

刻蝕Ta—刻蝕鉭

刻蝕W—刻蝕鎢

TiN的各向異性刻蝕—刻蝕氮化鈦

WSi刻蝕—硅化鎢刻蝕

有機(jī)物

刻蝕PMMA—刻蝕聚甲基丙烯酸甲酯

感應(yīng)耦合等離子體刻蝕BCB—刻蝕苯并環(huán)丁烯

刻蝕金剛石—金剛石的刻蝕

刻蝕聚酰亞胺—聚酰亞胺的刻蝕

聚二甲基硅氧烷(PDMS)刻蝕

刻蝕PR—刻蝕光刻膠

硅烷化光刻膠的干法顯影（感應(yīng)耦合等離子體-反應(yīng)離子刻蝕）—硅烷化光刻膠

硅

博施刻蝕Si—博施刻蝕硅

低溫刻蝕Si—低溫刻蝕硅

混合刻蝕Si—八氟環(huán)丁烷-六氟化硫刻蝕硅

HBr刻蝕Si—溴化氫刻蝕硅

各向同性刻蝕Si—硅的各向同性刻蝕

刻蝕SiGe——刻蝕鍺硅

絕緣層上的硅(SOI)的多層刻蝕