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PMGI/LOR剝離光刻膠
PMGI/LOR剝離光刻膠

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產(chǎn)地

美國

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香港電子器材有限公司

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PMGI & LOR負光刻膠使能高產(chǎn),廣泛應用于在處理多種數(shù)據(jù)存儲和無線芯片到MEMS的金屬剝離。PMGI & LOR負光刻膠作為雙疊層光刻膠,在超出單層防腐可以延長限制剝離處理。這包括非常高的分辨率的金屬化(<0.25μM),以及非常厚(>4μm)金屬化。這些獨特的材料可幾乎滿足任何客戶需要。

PMGI & LOR的特性:

1)高分辨,可用于 <0.25 μm Lift-off 工藝

2)undercut 結(jié)構(gòu)可控,溶解速率易于調(diào)節(jié)

3)在Si,NiFe,GaAs,nP和其它III-V材料上有良好的粘附力

4)與 g-, h-,i-line,DUV,193 nm 和 E-beam 光刻膠等兼容

5)良好的耐熱穩(wěn)定性

6)去膠容易,剝離干凈

應用:金屬電梯加工,橋制造,釋放層

PMGI & LOR屬性

1)覆蓋在成像抗蝕劑不會混雜

2)在TMAH雙疊層一步發(fā)展,或KOH開發(fā)

3)高熱穩(wěn)定性:Tg ~190 C

4)快速清除和常規(guī)抗剝離干凈

5)0.25μm微米雙層抗蝕成像

6)產(chǎn)量高,可用于很厚(>3μm)金屬剝離處理

加工環(huán)境:

溫度:20-25°± 1°C

濕度:35-45% ± 2%

相關溶液:

顯影液:101 Developer

去膠劑:Remover PG

稀釋液:G Thinner

一般儲存溫度:

4-27°C

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