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Wafer XRD用于全自動晶圓揀選、生產(chǎn)和質(zhì)量控制
特點(diǎn)
適用于3到8寸晶圓。也可根據(jù)要求提供其他尺寸
FOUP、載具或單個(gè)晶圓臺
跨槽晶圓識別為可選功能
易于集成到任何工藝生產(chǎn)線中
測量速度：每個(gè)樣品＜10秒
典型標(biāo)準(zhǔn)偏差（傾斜度）：例如Si 100＜0.003°
MES和SECS/GEM接口
銅靶微焦點(diǎn)風(fēng)冷X射線光管（**30W）或細(xì)焦點(diǎn)水冷X射線光管（**1.5kW）
完全符合CE標(biāo)準(zhǔn)的安全控制裝置
通過3色燈塔指示狀
材料
Si、SiC、GaAs、GaN、藍(lán)寶石（Al?O?）、Ge、AIN、石英、InP和100s等。
可選插件
電阻率測量范圍：0.01至0.020Ωcm
自動識別晶圓數(shù)據(jù)矩陣碼、二維碼、條形碼或類似代碼
未拋光晶圓和鏡面的距離測量
年產(chǎn)1,000,000片晶圓
暫無數(shù)據(jù)！
隨著動力電池和新能源汽車的需求爆發(fā)，鋰電正極材料也正在快速迭代，其中三元材料逐漸成為動力電池的主流選擇。目前三元材料中的鎳鈷錳成分分析多采用ICP分析方法，化學(xué)分析過程相對復(fù)雜、分析時(shí)間長、梯度稀釋誤
2021-08-06
XRF在鋰電正極材料元素分析中的應(yīng)用 水泥和似水泥物（混合材）體系水化過程的X射線衍射分析 馬爾文帕納科綜合樣本手冊 
展期：2025年3月10日-12日展館：上海世博展覽館 H1 號館地址：上海市?浦東博成路850號展位號：H1-A4262025年3月10日至12日，馬爾文帕納科（Malvern Panalytica
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近日，馬爾文帕納科（Malvern Panalytical）宣布其最新推出的X射線熒光光儀（XRF）"Revontium 極光"正式接受訂單，并成功在美國High Desert A
本文摘要納米氣泡的粒度表征，受限于其顆粒濃度低、粒徑分布寬等特點(diǎn)，若使用動態(tài)光散射（DLS）技術(shù)進(jìn)行測試，信號弱，數(shù)據(jù)質(zhì)量較差。本文將介紹利用納米顆粒跟蹤（NTA）技術(shù)實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)、可視化的納米氣泡顆粒表
本文摘要磨料用SiO2 漿料的顆粒粒度對硅晶片的微觀形貌有直接影響，進(jìn)而會影響到后續(xù)工序電介質(zhì)膜的均勻性；此外，漿料的穩(wěn)定性也會影響晶片拋光過程，所以磨料的顆粒表征非常重要，本文介紹了利用動態(tài)光散射技
除了化學(xué)性之外，金屬粉末的物理特性還決定這增材制造的性能，包括粉末的整體特性和單個(gè)金屬顆粒的特性。關(guān)鍵的整體特性是指堆積密度和流動性。堆積密度和流動性受顆粒粒度和形狀等形態(tài)特性的影響。本文將介紹顆粒粒
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