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技術(shù)指標(biāo)/Technical Indicators：
晶片尺寸: 4/6英寸 Wafer size: 4/6 inches | 工作溫度范圍: 800-2000°C Perating temperature range: 800-2000°C |
裝片量: 50/80片 Loading capacity: 50/80 tablets |
應(yīng)用范圍/Scope：
? 用于SiC基半導(dǎo)體材料的離子激活和退火處理
lon activation and annealing treatment for SiC-based semiconductor materials
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