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磁控濺射沉積設(shè)備
磁控濺射沉積設(shè)備

參考價(jià)格

面議

型號(hào)

磁控濺射沉積設(shè)備

品牌

電子科技

產(chǎn)地

湖南

樣本

暫無(wú)
中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所

高級(jí)會(huì)員

|

第1年

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磁控濺射設(shè)備是一種多功能、高效率的鍍膜設(shè)備??梢栽谔沾?、玻璃、石英、硅片等基底材料上濺鍍金屬、非金屬、氧化物、介質(zhì)等材料的薄膜,如: Au、Al、NiCr、TiW、Si、Al2O3 、Si3N4、ZnO、ITO等。濺鍍膜層均勻、致密、附著力強(qiáng),可應(yīng)用到新型電子材料制備及光學(xué)、太陽(yáng)能、 半導(dǎo)體等領(lǐng)域。

load-lock采用機(jī)械手運(yùn)送基片,上料室預(yù)抽真空,保證濺射室良好的真空環(huán)境,實(shí)現(xiàn)連續(xù)生產(chǎn);
  濺射靶角度可調(diào);
  可沉積單層、多層薄膜、合金薄膜和摻雜薄膜;
  濺射靶之間采用特殊結(jié)構(gòu)相互隔離,避免靶材之間交叉污染;
  可選配輔助清洗離子源,有效提高薄膜的附著力;
  電源配置可選:直流、射頻、直流脈沖、直流偏壓、射頻偏壓;
  基片臺(tái)可加熱,通過(guò)工藝控制可制備單晶薄膜;

-靶材尺寸: Φ50mm、Φ75mm、Φ100mm、Φ125mm、Φ150mm
  -靶材數(shù)量:2-4個(gè)
  -基片尺寸:2-8英寸
  -基片臺(tái)轉(zhuǎn)速:5-30rpm,轉(zhuǎn)速連續(xù)可調(diào)
  -基片臺(tái)加熱:室溫-400℃,控溫精度±1%
  -沉膜不均勻性: ±3% ~ ±5%
  -真空系統(tǒng):分子泵系統(tǒng)/低溫泵系統(tǒng)

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產(chǎn)品質(zhì)量

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售后服務(wù)

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性?xún)r(jià)比

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  • 磁控濺射沉積設(shè)備的工作原理介紹?
  • 磁控濺射沉積設(shè)備的使用方法?
  • 磁控濺射沉積設(shè)備多少錢(qián)一臺(tái)?
  • 磁控濺射沉積設(shè)備使用的注意事項(xiàng)
  • 磁控濺射沉積設(shè)備的說(shuō)明書(shū)有嗎?
  • 磁控濺射沉積設(shè)備的操作規(guī)程有嗎?
  • 磁控濺射沉積設(shè)備的報(bào)價(jià)含票含運(yùn)費(fèi)嗎?
  • 磁控濺射沉積設(shè)備有現(xiàn)貨嗎?
  • 磁控濺射沉積設(shè)備包安裝嗎?
磁控濺射沉積設(shè)備信息由中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所為您提供,如您想了解更多關(guān)于磁控濺射沉積設(shè)備報(bào)價(jià)、型號(hào)、參數(shù)等信息,歡迎來(lái)電或留言咨詢(xún)。
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