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氮化鎵高壓助熔劑晶體生長設(shè)備品牌
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簡介 ： 1.Na助溶劑液相外延生長2-4 英寸GaN晶片，也可用于高壓助熔劑法探索新型氮化物晶體。 2.助熔劑法（Na FLUX METHOD）生長氮化鎵（GaN）單晶具有諸多優(yōu)勢是目前國際上公認(rèn)的可實現(xiàn)高質(zhì)量、大尺寸氮化鎵體單晶產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)的生長技術(shù)之一。 3.雙溫區(qū)加熱，**使用溫度1000°C，**壓力9 Mpa。 4.氮氣溶解速度快，分布均勻，生長速度可達30 微米/小時。 5.可外延生長
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