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半導(dǎo)體晶圓片的無損檢測(cè)國(guó)際SEMI標(biāo)準(zhǔn)采納了傅里葉紅外光譜法。FSM1201S半導(dǎo)體晶圓分析儀可以根據(jù)預(yù)設(shè)的程序（可以通過軟件窗口圖文預(yù)設(shè)1-9個(gè)測(cè)定點(diǎn)）對(duì)76、100、 125、150 以及200mm直徑晶圓進(jìn)行自動(dòng)分析。單點(diǎn)分析時(shí)間不超過20秒。

主要技術(shù)指標(biāo)：

適用以下標(biāo)準(zhǔn)方法：

1）硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法（晶圓厚度0.4～2mm），濃度范圍：(5x10¹⁵–2x10¹⁸)±5x10¹⁵см^-3國(guó)際標(biāo)準(zhǔn): SEMI MF1188， Test Method for Interstitial Oxygen Content of Silicon by Infrared Absorption With Short Baseline);

2）硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法（晶圓厚度0.4～2mm），檢測(cè)范圍：(10¹⁶–5x10¹⁷)±10¹⁶см^-3國(guó)際標(biāo)準(zhǔn):SEMI MF1391 TEST METHOD FOR SUBSTITUTIONAL ATOMIC CARBON CONTENT OF SILICON BY INFRARED ABSORPTION

3）硅晶體中間隙氧含量徑向變化測(cè)量方法國(guó)際標(biāo)準(zhǔn):SEMI MF951　Test Method for Determination if Radial Interstitial Oxygen Variation in Silicon Wafers);

4）硅外延層厚度的分析 (國(guó)際標(biāo)準(zhǔn):SEMI MF95　 Thickness of epitaxial layers for silicon n-n+ and p-p+ structures: (0.5–10)±0.1 µm， (10–200)±1% µm);

5）SOS體系硅外延層厚度的分析Thickness of silicon epitaxial layers in SOS structures:(0.1–10) ±0.01 μm

6）BPSG中硼和磷濃度，PSG中磷濃度的分析Boron and/or phosphorus concentration in BPSG/PSG on silicon: (1–10) ±0.2 Wt%。