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晶硅太陽(yáng)能電池表面鈍化用高產(chǎn)出原子層沉積系統(tǒng)
ALD for surface passivation of c-Si solar cells
應(yīng)用：
1.CIGS太陽(yáng)能電池?zé)o鎘緩沖層沉積
2.晶硅太陽(yáng)能電池表面鈍化層沉積
3.大規(guī)模生產(chǎn)的應(yīng)用
4.工業(yè)全自動(dòng)生產(chǎn)設(shè)備
5.高產(chǎn)量：高達(dá)4500晶片/小時(shí)(156 X 156 m㎡)
特征：
1.良好的厚度＆均勻性好的Al2O3薄膜
2.用于短氣體循環(huán)時(shí)間的先進(jìn)工藝套件和小體積
3.具體化的ALD機(jī)械裝置
4.全集成工藝模塊
5.操作過程簡(jiǎn)單
6.自動(dòng)式操作
技術(shù)規(guī)格：
| Model | Material | Wafer Size(mm2) | Thickness (nm) | Throughput(wph) |
|---|---|---|---|---|
| LucidaTM GS200 | Al2O3 | 156x156 | 4 | ≥550 |
| LucidaTM GS800 | Al2O3 | 156x156 | 4 | ≥2300 |
| LucidaTM GS1200 | Al2O3 | 156x156 | 4 | ≥3400 |
| LucidaTM GS1600 | Al2O3 | 156x156 | 4 | ≥4500 |
| LucidaTM GS6000 | Al2O3 | 156x156 | 4 | ≥6000 |
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