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單晶硅片少子壽命測(cè)試儀-MDPspot臺(tái)式單點(diǎn)壽命檢測(cè)儀
單晶硅片少子壽命測(cè)試儀-MDPspot臺(tái)式單點(diǎn)壽命檢測(cè)儀

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型號(hào)

品牌

產(chǎn)地

德國(guó)

樣本

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束蘊(yùn)儀器(上海)有限公司

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第2年

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桌面單點(diǎn)測(cè)量▼

低成本的臺(tái)式少子壽命測(cè)量系統(tǒng),對(duì)不同制備階段的硅材料電學(xué)參數(shù)進(jìn)行表征。沒(méi)有內(nèi)置自動(dòng)化??蛇x配手動(dòng)z軸,用于厚度在156毫米以下的晶錠。

MDPspot可配電阻率測(cè)試選項(xiàng),常規(guī)僅適用于硅,也可用于沒(méi)有高度調(diào)整可能性的晶圓片以及晶錠,不過(guò)需對(duì)這兩個(gè)選項(xiàng)之一進(jìn)行預(yù)定義。

MDPspot配備結(jié)果可視化的標(biāo)準(zhǔn)軟件。

設(shè)備特性▼

l 無(wú)接觸和非破壞的電學(xué)參數(shù)測(cè)試

l 對(duì)外延工藝監(jiān)控和不可見(jiàn)缺陷檢測(cè),具有可視化測(cè)試的較高分辨率

l 對(duì)于不同級(jí)別晶圓片,提供不同的菜單選項(xiàng)

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)▼

l 用于不同制備階段,從成體到*終器件,多晶硅或單晶硅單點(diǎn)測(cè)量載流子壽命的臺(tái)式裝置。

l 體積小,成本低,使用方便。擁有一個(gè)基本的軟件,結(jié)果可視化。

l 適用于晶圓片到晶錠,易于高度調(diào)整。

技術(shù)參數(shù)▼

樣品

不同工藝處理樣品,如鈍化或擴(kuò)散后的單晶或多晶硅晶圓、晶錠、電池等

樣品尺寸

50 x 50 mm2 到12“ 或210 x 210 mm2

電阻率

0.2 - 103 Ohm cm

材質(zhì)

硅晶圓,晶錠,部分或全部加工晶圓,化合物半導(dǎo)體和其它類型

少子壽命檢測(cè)范圍

20ns到幾十ms

尺寸

360 x 360 x 520 mm,質(zhì)量:16 kg

電源

110/220 V, 50/60 Hz, 3 A

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