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技術(shù)特點(diǎn)▼

l 能夠測(cè)量小至1mm的晶體到或更大的樣品

l 各種樣品架及輸送夾具，用于線鋸、拋光等

l 側(cè)晶方向標(biāo)記選項(xiàng)

l 無(wú)水冷卻

l 精度可達(dá)0.01°(視晶體質(zhì)量而定)

l 確定單晶的完全晶格取向

l 使用Omega掃描方法的超高速晶體定位測(cè)量

l 氣冷式X射線管，無(wú)需水冷

l 適合于研究和生產(chǎn)質(zhì)量控制

l 手動(dòng)操作(沒(méi)有自動(dòng)化選項(xiàng))

晶體的方向是由反射位置決定的

可測(cè)量材料的例子▼

? 立方/任意未知方向：Si， Ge， GaAs， GaP， InP

? 立方/特殊取向：Ag， Au， Ni， Pt， GaSb， InAs， InSb， AlSb， ZnTe， CdTe， SiC3C， PbS， PbTe， SnTe， MgO， LiF， MgAl2O4， SrTiO3， LaTiO3

? 正方：MgF2， TiO2， SrLaAlO4

? 六方/三角：SiC 2H， 4H， 6H， 15R， GaN， ZnO， LiNbO3， SiO2(石英)，Al2O3(藍(lán)寶石)，GaPO4， La3Ga5SiO14

? 斜方晶系：Mg2SiO4 NdGaO3

? 可根據(jù)客戶的要求進(jìn)一步選料

適合多種材料

SDCOM的應(yīng)用▼

平面方向的標(biāo)記和測(cè)量

在晶圓片的注入和光刻過(guò)程中，需要平面或凹槽作為定位標(biāo)記。切割過(guò)程中，晶片必須正確地對(duì)準(zhǔn)晶圓片上易于切割的晶格面。因此，檢查平面或缺口的位置至關(guān)重要。

為了確定平面或缺口的位置，就需要測(cè)量平面內(nèi)的部件。由于Omega掃描法可以在一次測(cè)量中確定完整的晶體方位，基于此，便可以直接識(shí)別在平面方向或檢查方向的單位或缺口。

DDCOM通過(guò)旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤，可以將任何平面方向轉(zhuǎn)換成用戶指定的特定位置。在必須定義平面方向的情況下，這可以大大簡(jiǎn)化將標(biāo)記應(yīng)用到特定平面方向的過(guò)程。