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OAI超過35年的歷史

按照您的具體規(guī)格設(shè)計(jì)和制造紫外線儀器和曝光系統(tǒng)在世界范圍內(nèi)亨有聲譽(yù)

無論復(fù)雜還是簡(jiǎn)單，OAI都有*聰明的解決方案。

OAI 200型

光刻機(jī) 和

紫外曝光系統(tǒng)

OAI系統(tǒng)可以處理各種常規(guī)和不規(guī)則形狀的寬范圍的基材。

高效光源在各種光譜上提供均勻的紫外線照射。.

OAI 200型光刻機(jī)和紫外線曝光系統(tǒng)是一種經(jīng)濟(jì)高效的高性能工具，采用行業(yè)驗(yàn)證的模塊化組件進(jìn)行設(shè)計(jì)，使OAI成為MEMS，納米技術(shù)和半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的**者。200型是臺(tái)式機(jī)型，需要*小的潔凈室空間。它為研發(fā)，試驗(yàn)或小批量生產(chǎn)提供了經(jīng)濟(jì)的替代方案。利用創(chuàng)新的空氣軸承/真空卡盤校平系統(tǒng)，基板被快速和平緩地平整以用于平行光掩模對(duì)準(zhǔn)和在接觸暴露期間在晶片上的均勻接觸。該系統(tǒng)具有微米分辨率和對(duì)準(zhǔn)精度。對(duì)準(zhǔn)模塊具有掩模插入件組和快速更換晶片卡盤，其允許使用各種襯底和掩模，而不需要對(duì)機(jī)器重新設(shè)定。對(duì)準(zhǔn)模塊包含X，Y和θ軸（微米）。200型對(duì)準(zhǔn)器可以廣泛地安裝進(jìn)對(duì)準(zhǔn)光學(xué)儀器，包括背面IR。 IR照明真空吸盤可以被配置用于整個(gè)或或部分晶片的對(duì)準(zhǔn)。 OAI 200型可配置OAI納米壓印模塊，使其成為*低成本的NIL工具。 OAI還提供了一個(gè)模塊，設(shè)計(jì)用于使用液體光引物進(jìn)行快速成型或生產(chǎn)微流體器件。 Model 200具有可靠的OAI光源，在近紫外或深紫外線下使用200至2000瓦功率的燈提供準(zhǔn)直的紫外光。雙傳感器，光學(xué)反饋回路與恒定強(qiáng)度控制器相關(guān)聯(lián)，以提供在所需強(qiáng)度的±2％內(nèi)的曝光強(qiáng)度的控制。可以簡(jiǎn)單快速地改變UV波長(zhǎng)。

型號(hào)200是一個(gè)高度靈活的， 經(jīng)濟(jì)的解決方 案，適合任何 入門級(jí)掩模對(duì)準(zhǔn)和紫外線照射應(yīng)用。

應(yīng)用

MEMS

NIL

微流體

納米技術(shù)

II-VI和III-V器件制造

多級(jí)抗蝕劑處理

LCD和FED顯示器

MCM’S

薄膜器件

太陽能電池

SAW器件

選項(xiàng)

提供單或雙相機(jī)和屏幕

（雙相機(jī)/雙屏版本如照片所示）

可以安裝NIL的Nano Imprint模塊

可安裝微流體模塊

OAI 200型臺(tái)式光刻機(jī)和紫外線曝光系統(tǒng)

OAI 200型掩模對(duì)準(zhǔn)器和UV曝光系統(tǒng)

特征

規(guī)格

體積小

基板平臺(tái)

X， Y Travel

Z Travel

Micrometer

Graduations

Rotation

± 10mm

真空吸盤

1，500 microns

.001"; .0001"

or .01mm; .001mm

± 3.5?

精密對(duì)準(zhǔn)模塊

可互換的面罩架和基板卡盤

掩膜

大小

Up to 14" x 14"

好處

光源

光束尺寸

燈功率

Up to 12" square

200， 350， 500， 1，000， and

2，000 Watt NUV

I 需要*小的潔凈室空間

500， 1，000 and 2，000 Watt DUV

I 對(duì)易碎基材材料造成損壞降至*低

快門定時(shí)器

設(shè)施

定時(shí)器

0.1 to 99.0 sec. at 0.1

second increments

or 1 to 999 sec. at 1

second increments

I 精確對(duì)準(zhǔn)至1微米

I 可輕松容納各種基材和面罩

電壓

110或220 / 400vac

（或根據(jù)其他國(guó)家

電源要求）

I IR透明晶片的背面掩模對(duì)準(zhǔn)，精度高達(dá)3-5微米

真空

20 - 28” Hg.

I 高度準(zhǔn)直，均勻的紫外線

空氣和氮?dú)?/p>

CDA at 60 PSI and

N2at 40 PSI

排氣

.35“至.5”水

I 快速更改UV光波長(zhǎng)

I 曝光控制強(qiáng)度為±2％

尺寸

高度

寬度

深度

運(yùn)輸重量

37” (200mm)， 45” (300mm)

31” (200mm) ， 60” (300mm)

25” (200mm)， 70” (300mm)

250 Lbs. (200mm)， 400lbs (300mm)

I 可以配置為NIL的Nano Imprint工具