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儀器簡介： 美國高分辨深能級瞬態(tài)譜儀是半導(dǎo)體領(lǐng)域研究和檢測半導(dǎo)體雜質(zhì)、缺陷深能級、界面態(tài)等的重要技術(shù)手段！測試功能：電容模式、定電容模式、電流模式、（雙關(guān)聯(lián)模式）、光激發(fā)模式、FET分析、MOS分析、等溫瞬態(tài)譜、Trap profiling、俘獲截面測量、I/V，I/V(T) 、C/V， C/V(T) 、TSC/TSCAP 、光子誘導(dǎo)瞬態(tài)譜、DLOS。

測試根據(jù)半導(dǎo)體P-N結(jié)、金-半接觸結(jié)構(gòu)肖特基結(jié)的瞬態(tài)電容（△C~t）技術(shù)和深能級瞬態(tài)譜的發(fā)射率窗技術(shù)測量出的深能級瞬態(tài)譜，是一種具有很高檢測靈敏度的實(shí)驗(yàn)方法，能檢測半導(dǎo)體中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級及界面態(tài)。通過對樣品的溫度掃描，給出表征半導(dǎo)體禁帶范圍內(nèi)的雜質(zhì)、缺陷深能級及界面態(tài)隨溫度（即能量）分布的DLTS譜，集成多種全自動(dòng)的測量模式及全面的數(shù)據(jù)分析，可以確定雜質(zhì)的類型、含量以及隨深度的分布。

也可用于光伏太陽能電池領(lǐng)域中，分析少子壽命和轉(zhuǎn)化效率衰減的關(guān)鍵性雜質(zhì)元素和雜質(zhì)元素的晶格占位，確定是何種摻雜元素和何種元素占位影響少子壽命。

感謝中國科學(xué)院寧波材料研究所，國家硅材料深加工產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心南昌大學(xué)西安電子科技大學(xué)成為此設(shè)備的專業(yè)用戶??！

此設(shè)備在全球用戶眾多，比歐洲設(shè)備性能價(jià)格比高，是研究材料深能級領(lǐng)域的理想工具！！

系統(tǒng)配置:

DLTS數(shù)據(jù)采集及分析軟件 (DLTS， ODLTS， DDLTS)

Boonton 7200型快速電容測試器

自動(dòng)電容零點(diǎn)界面

數(shù)據(jù)采集卡及中斷箱

ODLTS穿導(dǎo)件

機(jī)柜安裝硬件及電纜

設(shè)備機(jī)柜

GPIB 接口卡

電腦是雙核， 2GB 內(nèi)存， 19”顯示器. USB 接口， CD書寫用于數(shù)據(jù)傳輸.

可調(diào)節(jié)探針(2)

閉環(huán)液氦制冷機(jī) (25-700K)

溫度控制器

電容測試器指標(biāo):

型號(hào): Boonton 7200

電容零點(diǎn)界面: Yes

全自動(dòng)電容補(bǔ)償: Yes

全自動(dòng)范圍設(shè)置: Yes

響應(yīng)時(shí)間: ~25μsec

補(bǔ)償范圍: 256pF

測試頻率: 1MHz

測試信號(hào)級別: 15， 30， 50， 100 mV

電容范圍: 2000pF

靈敏度: 1fF

電壓范圍: +100V to –100V (Boonton)

+10V to –10V (數(shù)據(jù)采集卡)

靈敏度: 1mV (電壓小于 20V時(shí))， 10mV (電壓大于 20V時(shí))

0.3mV (數(shù)據(jù)采集卡)

脈沖寬度: 15ms to >0.1sec (Boonton內(nèi)置偏壓)

5μs to >0.1sec (數(shù)據(jù)采集卡)

脈沖幅度: 到 200V， slew rate <20v>

到 20V， slew rate of 20V/μs (數(shù)據(jù)采集卡)

電流: 5mA

數(shù)據(jù)采集卡瞬時(shí)記錄:

采樣速率: 可至 1μs. 一般使用 >50μs

采樣次數(shù): >10，000.

記錄分辨率: 50ns暫時(shí)分辨率， 優(yōu)于 50aF 電容分辨率

過濾: 全自動(dòng)檢測及正弦噪音消除