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我們提供了一套完整的MOCVD，主要產(chǎn)品包括臺(tái)式研發(fā)型、中試型和生產(chǎn)型。其反應(yīng)器的設(shè)計(jì)可以根據(jù)工藝的需要很容易提升到滿(mǎn)足大直徑晶片生產(chǎn)的需要。我們也能為客戶(hù)設(shè)計(jì)以滿(mǎn)足客戶(hù)特殊工藝和應(yīng)用的需要。系統(tǒng)部件包括：反應(yīng)器、氣體傳輸系統(tǒng)、電氣控制系統(tǒng)和尾氣處理系統(tǒng)。

應(yīng)用方向：氧化物、氮化物、碳化物、硫族（元素）化物、半導(dǎo)體等

提供適用不同材料研究需要的反應(yīng)器：

透明導(dǎo)體氧化物（TCO）應(yīng)用于LCD、太陽(yáng)能電池、透明加熱器、電極、LED、OLED等方面包括：P型ZnO， ITO， SrCuO，MgAlO，SrRuOm等MOCVD系統(tǒng)

MEMS & MOEMs包括：PZT， ZrO， NbO，LiNbO， TiO2，SiO2，PbMgO， CMO，Ta2O5等MOCVD系統(tǒng)

儲(chǔ)存器 (DRAM & NVRAM)介電/鈍化材料應(yīng)用于柵極、介電層、鐵電、高頻設(shè)備、鈍化、保護(hù)層等，包括：BST，PZT， SBT， CMO， BLT，Hf(Si)O， Ta2O5，，Zr(Si)O，Al2O3， MgO等MOCVD系統(tǒng)

波導(dǎo)， 光電， WDMs. MOEMS 等材料，包括：YBCO， PZT， ZnO， ZnSiO:Mn， GaN，SiC， Al， W， Cn等MOCVD系統(tǒng)

其他材料如：超導(dǎo)、氮化物、氧化物、磁性材料、包括：YBCO， PZT， ZnO， ZnSiO:Mn， GaN，SiC， Al， W， Cn等MOCVD系統(tǒng)

金屬及合金， 氧化物， 氮化物， III-V， II-VI，...

半導(dǎo)體: SiO2， HfO2， Ta2O5， Cu， TiN， TaN， ...

氮化物及合金: GaN， AlN， GaAs， GaAsN...

高介電材料:SrTiO3， BaTiO3， Ba(1-x)SrxTiO3 (BST)...

鐵電材料: SBT， SBTN， PLZT， PZT，…

超導(dǎo)材料:YBCO， Bi-2223， Bi-2212， Tl-1223， …

壓電材料: (Pb， Sr)(Zr，Ti)O3， 改性鈦酸鉛...

金屬:Pt， Cu，...

巨磁阻材料...

熱涂層， 阻擋層， 機(jī)械涂層， 光學(xué)材料...

我們提供了從桌面型反應(yīng)器（針對(duì)研究和提高的需要）到自動(dòng)化生產(chǎn)系統(tǒng)。出于材料變化種類(lèi)的適應(yīng)性和經(jīng)濟(jì)價(jià)格的考慮，對(duì)任何研究人員來(lái)說(shuō)桌面型反應(yīng)器是*合適的選擇，而且也極容易升級(jí)為量產(chǎn)型。

科研型MOCVD設(shè)備，包含液體直接注入ALD工藝，同一腔室完成沉積和退火。

-更低的設(shè)備及使用成本、更少的前驅(qū)體源使用、更小的腔體尺寸、跟高的薄膜沉積品質(zhì)！

-非常適合高校及研究所科研使用！

儀器參數(shù)：

1/ 1~4英寸MOCVD系統(tǒng)；

2/ 專(zhuān)為滿(mǎn)足科研單位需求而設(shè)計(jì)；

3/ MOCVD系統(tǒng)可在不同基底上，以MOCVD方式，在固體、液體有機(jī)金屬基源上沉積氧化物、氮化物、金屬、III-V 和 II-VI膜層；

4/ MOCVD配有前驅(qū)體直接處理單元，可在大范圍內(nèi)使用MO源，用于外延材料的研發(fā)和制備；

5/ MOCVD腔室中的紅外燈加熱系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)在線(xiàn)退火工藝；

性能及特點(diǎn)：

1， 溫度范圍: 室溫至1200°C ；

2， 帶質(zhì)量流量控制器的氣體混合性能；

3， 真空范圍: ~ 10^-3Torr，可選配高真空；

4， 選配手套箱；

5， 已被客戶(hù)廣泛接受

6， 堅(jiān)固耐用

7， 可靠性高

8， 良好的可重復(fù)性

9， 經(jīng)濟(jì)適用