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美國Laurell濕法刻蝕顯影機EDC-650Mz-23NPP
美國Laurell濕法刻蝕顯影機EDC-650Mz-23NPP

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邁可諾技術(shù)有限公司

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勻膠顯影機(英文名:Developing)

產(chǎn)地:美國

一、產(chǎn)品概述:

650型勻膠顯影機適應于半導體、化工材料、硅片、晶片、基片、導電玻璃等工藝,制版的表面顯影。一般勻膠顯影機由動力系統(tǒng)、顯影液槽及噴液管、水洗槽、擠壓 (水)輥、涂膠槽等部分組成。

二、勻膠顯影機工作原理:

顯影系統(tǒng)具有可編程閥,它可以使單注射器試劑滴膠按照蝕刻、顯影和清洗應用的要求重復進行,如沖洗(通常是去離子水或溶劑),然后干燥(通常是氮氣)等*后的處理步驟。采用此序貫閥門技術(shù)的晶圓片和管道在完全干燥的環(huán)境中開通和關(guān)閉處理過程。隔離和獨立的給水器可處在靜態(tài)的位置還可以蓋內(nèi)調(diào)節(jié)。勻膠顯影機還有可選擇的動態(tài)線性或徑向滴膠的特性。

三、勻膠顯影機主要性能指標:

1、腔體尺寸:9.5英寸 (241 毫米);

2、Wafer&芯片:直徑6英寸(150毫米)的晶圓片或者5x5英寸(125毫米)的方片;

3、非真空托盤:聚丙烯材質(zhì)非真空托盤,可承載2、3英寸及150毫米的晶圓片-并帶有背面清洗功能;

3、轉(zhuǎn)動速度:0-12,000rpm,

5、馬達旋涂轉(zhuǎn)速:穩(wěn)定性能誤差 < ±1%;

6、工藝時間設定:1-5999.9 sec/step 0.1 精度;

7、高精度數(shù)碼控制器:PLC控制,設置點精度小于0.006%;

8、程序控制:可存儲20個程序段,每個程序段可以設置51步不同的速度狀態(tài);

9、分辨率:分辨率小于0.5轉(zhuǎn)/分,可重復性小于±0.5轉(zhuǎn)/分,美國國家標準技術(shù)研究院(NIST)認證過的,并且無需再校準!]

10、腔體開關(guān)蓋板:透明ECTFE材質(zhì)圓頂蓋板,便于實時進行可視化操作;

11、腔體材質(zhì)說明:用聚丙烯材質(zhì)制成的帶有聯(lián)動傳感觸點的合瓣式艙體;

12、配套分析軟件:SPIN3000操作分析軟件;

13、配套真空泵系統(tǒng):無油型 220~240伏交流,50/60赫茲;

四、適用工藝(包括但不限于下述濕法制程)

光刻膠顯影(KrF/ArF)

SU8厚膠顯影

顯影后清洗

PostCMP清洗

光罩去膠清洗

光刻膠去除

金屬Lift-off處理

刻蝕微刻蝕處理

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