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生產(chǎn)型磁控濺射設(shè)備—MSI-100-UHV品牌
致真精密產(chǎn)地
安徽樣本
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生產(chǎn)型磁控濺射設(shè)備是針對企業(yè)和高校實驗室及小試線研發(fā)的高性能、高效率的磁控濺射裝備，該超高真空版本提供更高的濺射室真空度，兼具高性能薄膜的制備和小批量量產(chǎn)的需求。MSI-100-UHV型磁控濺射設(shè)備極限真空度優(yōu)于1×10-8mbar，包括進樣室和濺射室，可滿足8inch晶圓上高精度納米級材料的生產(chǎn)制備需求。
性能參數(shù)
| 晶圓尺寸 | 8inch向下兼容 |
| 鍍膜均勻性 | 優(yōu)于±3% |
| 極限真空 | 優(yōu)于1×10-8mbar |
| 進樣室 | 自動傳輸，可選裝載數(shù)量，可選機械臂抓手形狀，獨立真空系統(tǒng) |
| 樣品臺溫控 | 輻射加熱，RT-800℃ |
| 陰極數(shù)量 | 4個4inch |
| 電源 | DC、RF、DC Pulse |
| 占地面積 | 3m L*2m W*2m H |
| 可選 | 濺射角度、濺射方向、低溫泵、反應(yīng)濺射、膜厚儀、工藝菜單等 |
六大特色 懂你所需
企業(yè)/高校性能之選
測試案列
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，高校實驗室和企業(yè)對于具有高性能、低成本、高效率等優(yōu)點的磁控濺射裝備有著巨大需求。其中設(shè)備需要滿足在8inch晶圓上制備薄膜的均勻性。
如圖是8寸晶圓上鍍鈦膜均勻性測試。
（沉積條件：4寸靶傾斜沉積8寸晶圓，采用直接濺射或增大靶材磁村可提高至2%以內(nèi)）
8寸晶圓
將750μm的單拋晶圓裂片成1cm×1cm的小樣，取九片，去邊1cm沿八寸晶圓直徑固定好，進行磁控濺射鍍鈦膜，如下圖所示。測試發(fā)現(xiàn)晶圓片內(nèi)均勻性＜3%。
均勻性測試結(jié)果
暫無數(shù)據(jù)！
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