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量產(chǎn)型磁控濺射設(shè)備—MSI-200品牌
致真精密產(chǎn)地
安徽樣本
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生產(chǎn)型磁控濺射設(shè)備是針對(duì)生產(chǎn)企業(yè)實(shí)驗(yàn)室和產(chǎn)線研發(fā)的一系列高性能、高效率的磁控濺射裝備。MSI-200型磁控濺射設(shè)備采用多個(gè)真空腔室互聯(lián)的設(shè)計(jì)，通過(guò)晶圓真空傳輸平臺(tái)實(shí)現(xiàn)晶圓的傳輸，可搭配多個(gè)濺射室或處理腔室，適用于生產(chǎn)產(chǎn)線或?qū)嶒?yàn)線。
性能參數(shù)
| 晶圓尺寸 | 8~12吋 |
| 鍍膜均勻性 | 優(yōu)于±3% |
| 極限真空 | 優(yōu)于5×10-9mbar（工藝室PM） 優(yōu)于5×10-7mbar（傳輸室TM） 優(yōu)于5×10-6mbar（進(jìn)樣室Load lock） |
| 樣品臺(tái)溫控 | RT-800℃，可選RT-1200℃ |
| 工藝室 | 預(yù)清洗室、濺射室、退火室、低溫室、蒸發(fā)室、氧化室等 |
| 傳輸室 | 可選四邊形、六邊形或八邊形腔室，可實(shí)現(xiàn)多個(gè)傳輸室互聯(lián)，配置雙臂或單臂機(jī)械臂，配置校準(zhǔn)和測(cè)量裝置 |
| 進(jìn)樣室 | 8或12吋晶圓，可選EFEM等前端模塊 |
| 濺射室陰極數(shù)量 | 6-12個(gè)4inch陰極 |
| 沉積精度 | 0.1nm |
| 詳細(xì)配置可咨詢業(yè)務(wù)人員 |
客戶案例1
客戶制備： Sub/Ta/Mo/MgO/CoFeB/Mo/CoFeB/MgO/Mo多層薄膜
磁性金屬/金屬/磁性金屬構(gòu)成反鐵磁耦合結(jié)構(gòu)的表征圖
客戶案例2
客戶通過(guò)沉積Ti膜測(cè)試8inch晶圓均勻性，分別在圓心、4 inch、6 inch和8 inch處分別置放10cm*10cm硅片，獲得七個(gè)位置的薄膜厚度，其中**結(jié)果不均勻性達(dá)1.9%，獲得客戶好評(píng)。
（4英寸陰極濺射8英寸晶圓，平均薄膜厚度為49nm左右，均勻性1.9%，該指標(biāo)為目前國(guó)際**水平）
均勻性測(cè)試表征圖
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