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全自動(dòng)四腔超高真空雙傾角鍍膜系統(tǒng) QBT-J
約瑟夫森結(jié)超高壓系統(tǒng)
技術(shù)參數(shù)
QBT-J 技術(shù)參數(shù) Technical Specifications (雙傾角約瑟夫森結(jié)制備) | |
超高真空腔體 UHV Chamber | 4個(gè)UHV Chamber,包括Loadlock/Aneal, Ion Milling, Ebeam-Evaporation, Oxidation, 極限真空Ultimate Pressure<1E-9Torr |
基板加熱 Wafer Heating | RT-900℃ |
離子束清洗 Ion Milling | 考夫曼離子源, Ion Energy 100-600eV, 100-1200eV, Ion Beam Current:20-200mA, Ф100基板刻蝕均一性<3% |
電子束蒸發(fā) Ebeam Evaporation | UHV 5 Linear Pocket Ebeam Evaporation Source, 8KW Power Supply |
氧化 Oxidation | Flow and Static Mode Oxidation |
基板操控能力 Wafer Tilt and Rotation | 可實(shí)現(xiàn)180度傾斜及360度旋轉(zhuǎn),0.1度的精準(zhǔn)控制 |
基板傳輸 Wafer Transfer | 高度可靠和可重復(fù)的基板傳輸能力 |
人機(jī)界面 HMI | 全自動(dòng)化人機(jī)操作界面 |
安全Safety | 工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)安全互鎖Industry Safety Interlock,報(bào)警Alarm,EMO |
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