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雙傾角約瑟夫森結(jié)制備系統(tǒng)

雙傾角約瑟夫森結(jié)制備系統(tǒng)
  • 品牌:韞茂科技
  • 產(chǎn)地:福建
  • 關(guān)注度:2189
  • 型號(hào):QBT-J
  • 報(bào)價(jià):面議
  • 信息完整度:
核心參數(shù)
    產(chǎn)品介紹

    全自動(dòng)四腔超高真空雙傾角鍍膜系統(tǒng)  QBT-J 

    四腔體.jpg

    約瑟夫森結(jié)超高壓系統(tǒng)


       全自動(dòng)四腔超高真空雙傾角鍍膜系統(tǒng)專專業(yè)制備約瑟夫森結(jié)制備,可精確生長(zhǎng)所需的金屬層和氧化絕緣層,確保高性能制備及高成品率;此鍍膜儀有進(jìn)樣室、氬離子清洗室、電子束蒸 發(fā)室以及氧化室,共計(jì)四個(gè)高真空腔室,腔室間使用傳樣桿進(jìn)行高真空傳樣,傳遞模組須采用抓取式設(shè)計(jì);設(shè)備所有工藝均支持4英寸及以內(nèi)的晶圓或不規(guī)則樣品。設(shè)備整個(gè)工藝過程,可以完全按照用戶設(shè)置的參數(shù)自動(dòng)化運(yùn)行,工藝流程包括并不限于:抽真空,監(jiān)測(cè)氣壓,離子清洗,樣品位置調(diào)節(jié)、傳樣,加熱,電子束蒸發(fā)特 定厚度設(shè)置,自動(dòng)調(diào)整氣壓等。


    微信圖片_20220224094931.jpg

    技術(shù)參數(shù)


    QBT-J 技術(shù)參數(shù) Technical Specifications (雙傾角約瑟夫森結(jié)制備)
    超高真空腔體 UHV Chamber4個(gè)UHV Chamber,包括Loadlock/Aneal, Ion Milling, Ebeam-Evaporation, Oxidation, 極限真空Ultimate Pressure<1E-9Torr
    基板加熱 Wafer HeatingRT-900℃
    離子束清洗 Ion Milling考夫曼離子源, Ion Energy 100-600eV, 100-1200eV, Ion Beam Current:20-200mA, Ф100基板刻蝕均一性<3%
    電子束蒸發(fā) Ebeam EvaporationUHV 5 Linear Pocket Ebeam Evaporation Source, 8KW Power Supply
    氧化 OxidationFlow and Static Mode Oxidation
    基板操控能力 Wafer Tilt and Rotation可實(shí)現(xiàn)180度傾斜及360度旋轉(zhuǎn),0.1度的精準(zhǔn)控制
    基板傳輸 Wafer Transfer高度可靠和可重復(fù)的基板傳輸能力
    人機(jī)界面 HMI全自動(dòng)化人機(jī)操作界面
    安全Safety工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)安全互鎖Industry Safety Interlock,報(bào)警Alarm,EMO








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    • 雙傾角約瑟夫森結(jié)制備系統(tǒng)包安裝嗎?

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    廈門韞茂科技有限公司

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